新的MOSFET續(xù)流二極管或主動(dòng)鉗位拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
發(fā)布時(shí)間:2021/2/12 13:33:34 訪問次數(shù):807
AEC-Q101認(rèn)證的新重復(fù)雪崩專用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點(diǎn)關(guān)注動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用。
在汽車動(dòng)力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動(dòng)鉗位拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行構(gòu)建。
第四個(gè)選擇是重復(fù)雪崩設(shè)計(jì)，利用MOSFET的重復(fù)雪崩能力來泄放在其關(guān)斷期間來自感性負(fù)載電流的能量。這種設(shè)計(jì)與主動(dòng)鉗位方案的效率相當(dāng)，能夠消除對(duì)于二極管和其他器件的需求，從而最大程度地減少器件數(shù)量并降低電路復(fù)雜性。
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:整流器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SMA Vr - 反向電壓 :600 V If - 正向電流:2 A 類型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:1.3 V 最大浪涌電流:35 A Ir - 反向電流 :2 uA 恢復(fù)時(shí)間:85 ns 最大工作溫度:+ 175 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:2.03 mm 長(zhǎng)度:4.6 mm 產(chǎn)品:Rectifiers 寬度:2.95 mm 商標(biāo):STMicroelectronics Pd-功率耗散:- 產(chǎn)品類型:Rectifiers 5000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:106 mg
新的MOSFET在175°C時(shí)完全符合AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)，提供40 V和60 V選項(xiàng)，典型RDS(ON)額定值為12.5mΩ至55mΩ。
所有器件均采用公司節(jié)省空間的LFPAK56D（雙通道Power-SO8）銅夾片封裝技術(shù)。該封裝堅(jiān)固可靠，配備鷗翼引腳，實(shí)現(xiàn)出色的板級(jí)可靠性，并兼容自動(dòng)光學(xué)檢查(AOI)，提供出色的可制造性。
通常，希望實(shí)現(xiàn)重復(fù)雪崩拓?fù)涞墓こ處煵坏貌灰蕾嚮陉惻f平面半導(dǎo)體技術(shù)的器件。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
AEC-Q101認(rèn)證的新重復(fù)雪崩專用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點(diǎn)關(guān)注動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用。
在汽車動(dòng)力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動(dòng)鉗位拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行構(gòu)建。
第四個(gè)選擇是重復(fù)雪崩設(shè)計(jì)，利用MOSFET的重復(fù)雪崩能力來泄放在其關(guān)斷期間來自感性負(fù)載電流的能量。這種設(shè)計(jì)與主動(dòng)鉗位方案的效率相當(dāng)，能夠消除對(duì)于二極管和其他器件的需求，從而最大程度地減少器件數(shù)量并降低電路復(fù)雜性。
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:整流器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SMA Vr - 反向電壓 :600 V If - 正向電流:2 A 類型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:1.3 V 最大浪涌電流:35 A Ir - 反向電流 :2 uA 恢復(fù)時(shí)間:85 ns 最大工作溫度:+ 175 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:2.03 mm 長(zhǎng)度:4.6 mm 產(chǎn)品:Rectifiers 寬度:2.95 mm 商標(biāo):STMicroelectronics Pd-功率耗散:- 產(chǎn)品類型:Rectifiers 5000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:106 mg
新的MOSFET在175°C時(shí)完全符合AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)，提供40 V和60 V選項(xiàng)，典型RDS(ON)額定值為12.5mΩ至55mΩ。
所有器件均采用公司節(jié)省空間的LFPAK56D（雙通道Power-SO8）銅夾片封裝技術(shù)。該封裝堅(jiān)固可靠，配備鷗翼引腳，實(shí)現(xiàn)出色的板級(jí)可靠性，并兼容自動(dòng)光學(xué)檢查(AOI)，提供出色的可制造性。
通常，希望實(shí)現(xiàn)重復(fù)雪崩拓?fù)涞墓こ處煵坏貌灰蕾嚮陉惻f平面半導(dǎo)體技術(shù)的器件。
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