Transphorm的SuperGaN™技術(shù)優(yōu)于碳化硅,SuperGaN Gen V平臺融合了其上一代Gen IV的所有經(jīng)驗、獲專利的減小封裝電感技術(shù)、易于設(shè)計性和可驅(qū)動性（4V的Vth，以實現(xiàn)抗擾性）和+/- 20 Vmax的柵極穩(wěn)健性，以及簡化縮小的裝配結(jié)構(gòu)。

TP65H015G5WS與采用標準TO-247-3封裝、導(dǎo)通電阻類似的尖端SiC MOSFET進行了比較。

這兩款器件在半橋同步升壓轉(zhuǎn)換器中均以70 kHz的頻率運行，最高功率為12 kW，而得出的結(jié)果是Transphorm的GaN器件的功耗低25%。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 運算放大器 - 運放

RoHS: 詳細信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSSOP-8

通道數(shù)量: 2 Channel

電源電壓-最大: 6 V

GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 6.4 MHz

每個通道的輸出電流: 80 mA

SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 1.6 V/us

Vos - 輸入偏置電壓 : 1.5 mV

電源電壓-最小: 2.7 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

Ib - 輸入偏流: 14 nA

工作電源電流: 550 uA

關(guān)閉: No Shutdown

CMRR - 共模抑制比: 71 dB to 85 dB

en - 輸入電壓噪聲密度: 14 nV/sqrt Hz

系列: TLV2462A

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

放大器類型: Low Power Amplifier

高度: 1.15 mm

輸入類型: Rail-to-Rail

長度: 3 mm

輸出類型: Rail-to-Rail

產(chǎn)品: Operational Amplifiers

電源類型: Single, Dual

寬度: 4.4 mm

商標: Texas Instruments

雙重電源電壓: +/- 3 V

In—輸入噪聲電流密度: 0.13 pA/sqrt Hz

最大雙重電源電壓: +/- 3 V

最小雙重電源電壓: +/- 1.35 V

工作電源電壓: 2.7 V to 6 V, +/- 1.35 V to +/- 3 V

產(chǎn)品類型: Op Amps - Operational Amplifiers

工廠包裝數(shù)量: 2000

子類別: Amplifier ICs

Vcm - 共模電壓: Negative Rail to Positive Rail

電壓增益 dB: 109 dB

單位重量: 39 mg

3D閃存技術(shù)的發(fā)展，容量超過1 TB的閃存解決方案得到了越來越廣泛的應(yīng)用，對于數(shù)據(jù)可靠性的要求也變得越來越復(fù)雜。

閃存已經(jīng)集成到了工業(yè)設(shè)備的邊緣設(shè)備以及其他主要用于存儲OS或設(shè)備應(yīng)用程序的IIoT（工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)）設(shè)備中，對于可高可靠性的保護用戶數(shù)據(jù)的存儲設(shè)備的需求也不斷增加。

GBDriver系列中包含的自動刷新和數(shù)據(jù)恢復(fù)特點之外，TDK自有的GBDriver GS2還具有新的ECC（LDPC）內(nèi)存和強大的RAID特點，并且顯著提高了數(shù)據(jù)的可靠性。

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