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射頻遙控10“無線立方”方位開關的磁性

發(fā)布時間:2021/2/20 22:13:28 訪問次數(shù):330

射頻遙控10“無線立方”方位開關仍然在市場上很新,事實已經(jīng)證明了它的一些不同應用。事實上他們的共同點是開關設備被安裝在了非常易于使用的位置。

射頻遙控10預先使用了這種類型是因為,第一,這是非常緊湊的,第二,它是非常耐用的,第三,它不需要電纜是因為由執(zhí)行器觸發(fā)的信號在到達接收設備上是通過無線傳輸?shù)摹?

這些優(yōu)勢和功能現(xiàn)在也可以在非接觸式開關設備上使用。 steute已經(jīng)開發(fā)出了射頻10的新版本,它將用于基本的磁性開關上。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 開關穩(wěn)壓器

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DSBGA-8

拓撲結構: Buck

輸出電壓: 400 mV to 1.9875 mV

輸出電流: 600 mA

最大輸入電壓: 5.5 V

最小輸入電壓: 1.8 V

靜態(tài)電流: 2.5 uA

開關頻率: 4 MHz

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

系列: TPS62860

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

輸入電壓: 1.8 V to 5.5 V

類型: Synchronous Step-Down Converter

商標: Texas Instruments

關閉: Shutdown

開發(fā)套件: TPS628600EVM-109

產(chǎn)品類型: Switching Voltage Regulators

工廠包裝數(shù)量: 12000

子類別: PMIC - Power Management ICs

車用平面 MOSFET 系列,適用于內(nèi)燃機 (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應用。

新器件系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的平面技術,包括 55V 和 150V 標準柵極驅動 N 溝道 MOSFET,以及適用于高側開關應用的 -55 V 和 -100 V 標準柵極驅動 P 溝道 MOSFET ,這些技術不需要額外的柵極驅動電荷泵。

有關的30V、55V 和 100V 邏輯電平柵極驅動 N 溝道 MOSFET 簡化了柵極驅動要求,能夠減少電路板空間和零件數(shù)量。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

射頻遙控10“無線立方”方位開關仍然在市場上很新,事實已經(jīng)證明了它的一些不同應用。事實上他們的共同點是開關設備被安裝在了非常易于使用的位置。

射頻遙控10預先使用了這種類型是因為,第一,這是非常緊湊的,第二,它是非常耐用的,第三,它不需要電纜是因為由執(zhí)行器觸發(fā)的信號在到達接收設備上是通過無線傳輸?shù)摹?

這些優(yōu)勢和功能現(xiàn)在也可以在非接觸式開關設備上使用。 steute已經(jīng)開發(fā)出了射頻10的新版本,它將用于基本的磁性開關上。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 開關穩(wěn)壓器

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DSBGA-8

拓撲結構: Buck

輸出電壓: 400 mV to 1.9875 mV

輸出電流: 600 mA

最大輸入電壓: 5.5 V

最小輸入電壓: 1.8 V

靜態(tài)電流: 2.5 uA

開關頻率: 4 MHz

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

系列: TPS62860

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

輸入電壓: 1.8 V to 5.5 V

類型: Synchronous Step-Down Converter

商標: Texas Instruments

關閉: Shutdown

開發(fā)套件: TPS628600EVM-109

產(chǎn)品類型: Switching Voltage Regulators

工廠包裝數(shù)量: 12000

子類別: PMIC - Power Management ICs

車用平面 MOSFET 系列,適用于內(nèi)燃機 (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應用。

新器件系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的平面技術,包括 55V 和 150V 標準柵極驅動 N 溝道 MOSFET,以及適用于高側開關應用的 -55 V 和 -100 V 標準柵極驅動 P 溝道 MOSFET ,這些技術不需要額外的柵極驅動電荷泵。

有關的30V、55V 和 100V 邏輯電平柵極驅動 N 溝道 MOSFET 簡化了柵極驅動要求,能夠減少電路板空間和零件數(shù)量。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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