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失調(diào)電壓的上端電流檢測(cè)放大器(HVAC)應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2021/2/22 18:56:30 訪問(wèn)次數(shù):1770

為加強(qiáng)高濕度條件下的可靠性,傳感器PEEK絕緣引線與封裝環(huán)氧樹(shù)脂之間具有高粘合強(qiáng)度。NTC檢測(cè)芯子最大直徑為2.4mm,空氣中快速響應(yīng)時(shí)間為6秒。

NTCLE350E4具有高精度、快速響應(yīng)和耐高溫能力,適用于內(nèi)燃發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻液、燃料、歧管氣體壓力(MAP/TMAP)傳感器,以及暖通空調(diào)(HVAC)應(yīng)用。

在電力牽引電機(jī)中,器件可灌封或模壓到傳感器中,保護(hù)大電流連接器。除廢氣再循環(huán)(EGR)應(yīng)用外,NTCLE350E4還可以用作變速箱系統(tǒng)和液冷起動(dòng)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)的油溫傳感器(OTS)。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:172 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.75 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3.7 VQg-柵極電荷:142 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:230 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Tube配置:Single高度:20.7 mm長(zhǎng)度:15.87 mm晶體管類型:1 N-Channel寬度:5.31 mm商標(biāo):Infineon / IR正向跨導(dǎo) - 最小值:190 S下降時(shí)間:84 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:105 ns400子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:84 ns典型接通延遲時(shí)間:15 ns單位重量:38 g

符合AEC-Q100 零級(jí)標(biāo)準(zhǔn)、具有業(yè)界最低失調(diào)電壓的 上端電流檢測(cè)放大器 。

MCP6C02 放大器通過(guò)AEC-Q100 認(rèn)證,采用 1 級(jí) 6 引腳 SOT-23 封裝和零級(jí) 8 引腳 3x3 VDFN 封裝。VDFN 封裝的最大失調(diào)誤差僅為 12μV,在零級(jí)上端電流檢測(cè)放大器中失調(diào)電壓最低。

這款放大器的指定溫度范圍為 -40°C 至+150°C,其市場(chǎng)領(lǐng)先的失調(diào)誤差允許使用較小的分流電阻,同時(shí)還能保持較高的測(cè)量分辨率。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


為加強(qiáng)高濕度條件下的可靠性,傳感器PEEK絕緣引線與封裝環(huán)氧樹(shù)脂之間具有高粘合強(qiáng)度。NTC檢測(cè)芯子最大直徑為2.4mm,空氣中快速響應(yīng)時(shí)間為6秒。

NTCLE350E4具有高精度、快速響應(yīng)和耐高溫能力,適用于內(nèi)燃發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻液、燃料、歧管氣體壓力(MAP/TMAP)傳感器,以及暖通空調(diào)(HVAC)應(yīng)用。

在電力牽引電機(jī)中,器件可灌封或模壓到傳感器中,保護(hù)大電流連接器。除廢氣再循環(huán)(EGR)應(yīng)用外,NTCLE350E4還可以用作變速箱系統(tǒng)和液冷起動(dòng)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)的油溫傳感器(OTS)。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:172 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.75 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3.7 VQg-柵極電荷:142 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:230 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Tube配置:Single高度:20.7 mm長(zhǎng)度:15.87 mm晶體管類型:1 N-Channel寬度:5.31 mm商標(biāo):Infineon / IR正向跨導(dǎo) - 最小值:190 S下降時(shí)間:84 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:105 ns400子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:84 ns典型接通延遲時(shí)間:15 ns單位重量:38 g

符合AEC-Q100 零級(jí)標(biāo)準(zhǔn)、具有業(yè)界最低失調(diào)電壓的 上端電流檢測(cè)放大器 。

MCP6C02 放大器通過(guò)AEC-Q100 認(rèn)證,采用 1 級(jí) 6 引腳 SOT-23 封裝和零級(jí) 8 引腳 3x3 VDFN 封裝。VDFN 封裝的最大失調(diào)誤差僅為 12μV,在零級(jí)上端電流檢測(cè)放大器中失調(diào)電壓最低。

這款放大器的指定溫度范圍為 -40°C 至+150°C,其市場(chǎng)領(lǐng)先的失調(diào)誤差允許使用較小的分流電阻,同時(shí)還能保持較高的測(cè)量分辨率。

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