650 V CoolMOS™ CFD7 產(chǎn)品系列即可滿足上述需求。此器件適用于軟切換應用的諧振拓撲，例如通信電源、服務器、太陽能和非車載的電動車充電。

新款 650 V器件擴展了聲譽卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍，且為 CoolMOS CFD2 的后繼產(chǎn)品。新款 650 V 產(chǎn)品可搭配 LLC 和零電壓切換相移全橋拓撲，較前幾代產(chǎn)品能提供多項優(yōu)勢。

本產(chǎn)品系列擊穿電壓提升 50 V，搭配整合高速本體二極管技術及更出色的切換效能，非常適合用于當代設計。極低的反向恢復電荷加上優(yōu)異的熱性能，也添加了更多優(yōu)勢。

制造商:Littelfuse 產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管 RoHS: 詳細信息 產(chǎn)品類型:TVS Diodes 極性:Unidirectional 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-123FL-2 擊穿電壓:44.2 V 鉗位電壓:58.1 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):200 W Vesd - 靜電放電電壓觸點:- Vesd - 靜電放電電壓氣隙:- Ipp - 峰值脈沖電流:3.4 A 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:SMF 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Littelfuse 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 單位重量:36 mg

1個車載ECU中的半導體和積層陶瓷電容器的平均搭載數(shù)量，預計到2025年將從2019年的186個※增加至230個※，增加近3成。

為了滿足安裝密度越來越高的車載應用的需求，市場對小型化的要求也越來越高，因此能夠兼顧小型和高散熱性的底部電極封裝形式開始受到青睞。

另一方面，對于車載元器件，為確�？煽啃裕m然會在安裝元器件后實施AOI，但由于底部電極封裝只在底部有電極，故無法確認焊接狀態(tài)，進行車載標準的AOI有一定難度。

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