內(nèi)核速度最快的片上集成閃存的MCU安全芯片的功能
發(fā)布時(shí)間:2021/3/9 0:00:10 訪問次數(shù):444
超小型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”,尺寸僅為1.0mm×1.0mm。
它們的工作溫度最高可達(dá)125 °C,符合汽車AEC Q100 1級(jí)標(biāo)準(zhǔn),并具有符合IEC 60730(家用電器)B類安全標(biāo)準(zhǔn)的診斷庫(kù)。
新的STM32H7 MCU基于Arm® Cortex®-M7內(nèi)核,主頻550 MHz,是深度嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)上內(nèi)核速度最快的片上集成閃存的MCU。
RA6M4 MCU具備強(qiáng)大的安全性、豐富的連接性、支持奇偶校驗(yàn)/ECC的低功耗大容量嵌入式RAM,以及Arm開發(fā)工具和生態(tài),可加速智能物聯(lián)網(wǎng)邊緣終端設(shè)備的開發(fā)。
除了支持Arm TrustZone,瑞薩的增強(qiáng)型安全加密引擎提供了出色的安全解決方案,包括多個(gè)對(duì)稱和非對(duì)稱加密加速器、高級(jí)密鑰管理、安全生命周期管理、篡改檢測(cè)以及增強(qiáng)的抵抗旁路攻擊的能力。
這些集成的安全特性使RA6M4 MCU成為聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的理想選擇,并使客戶能夠在其所有物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更低的BOM成本和安全芯片的功能。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
超小型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”,尺寸僅為1.0mm×1.0mm。
它們的工作溫度最高可達(dá)125 °C,符合汽車AEC Q100 1級(jí)標(biāo)準(zhǔn),并具有符合IEC 60730(家用電器)B類安全標(biāo)準(zhǔn)的診斷庫(kù)。
新的STM32H7 MCU基于Arm® Cortex®-M7內(nèi)核,主頻550 MHz,是深度嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)上內(nèi)核速度最快的片上集成閃存的MCU。
RA6M4 MCU具備強(qiáng)大的安全性、豐富的連接性、支持奇偶校驗(yàn)/ECC的低功耗大容量嵌入式RAM,以及Arm開發(fā)工具和生態(tài),可加速智能物聯(lián)網(wǎng)邊緣終端設(shè)備的開發(fā)。
除了支持Arm TrustZone,瑞薩的增強(qiáng)型安全加密引擎提供了出色的安全解決方案,包括多個(gè)對(duì)稱和非對(duì)稱加密加速器、高級(jí)密鑰管理、安全生命周期管理、篡改檢測(cè)以及增強(qiáng)的抵抗旁路攻擊的能力。
這些集成的安全特性使RA6M4 MCU成為聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的理想選擇,并使客戶能夠在其所有物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更低的BOM成本和安全芯片的功能。
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