STISO621的最大數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到100Mbit/s，脈沖耐壓(VIOTM) 高達(dá)6000V，最大重復(fù)隔離電壓(VIORM)為1200V，與傳統(tǒng)的光隔離器相比，STISO621確保數(shù)據(jù)傳輸速度更快，使用壽命更長(zhǎng)，可靠性更高。

意法半導(dǎo)體的電能表評(píng)估板符合EN 50470-x、IEC 62053-2x、ANSI12.2x的交流電表標(biāo)準(zhǔn)。

該應(yīng)用方案提供每相或者累計(jì)的有源能量或者功率的寬帶、基波、無(wú)功和視在功率和能量數(shù)據(jù)。

2k SRAM 32k 閃存型號(hào)與 4k SRAM 64k 閃存型號(hào)

12-位，1 μs ADC,用于內(nèi)部和外部測(cè)量

2 個(gè) 8 位電流 DAC，電機(jī)電流限制為 2 mA 至 500 mA

中心和邊緣對(duì)齊并具有 ADC 觸發(fā)功能的 12-位 PWM 發(fā)電機(jī)

用于輸入和輸出 PWM 信號(hào)處理的 16-位定時(shí)器

11 個(gè)用于應(yīng)用程序接口的 GPIO

LIN 收發(fā)器，使用總線分流方法進(jìn)行自動(dòng)尋址

小型高效熱 QFN40 封裝

三星半導(dǎo)體發(fā)布為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶打造的新款高性能固態(tài)硬盤

PM9A3 U.2支持PCIe 4.0，是三星半導(dǎo)體專為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶打造，此舉彰顯了三星半導(dǎo)體計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)合作的決心。

PM9A3 U.2使用三星第六代3D閃存（V-NAND）技術(shù)，基于NVMe協(xié)議，完全符合開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）NVMe 云端固態(tài)硬盤規(guī)范，并能根據(jù)數(shù)據(jù)中心需求，在性能、電源效率、可靠性、安全性等方面，提供高級(jí)別的解決方案。  

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