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音頻IC的高端系列“MUS-IC™”中的DAC芯片

發(fā)布時(shí)間:2021/3/12 23:25:56 訪問次數(shù):554

雙通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模塊---“MG800FXF2YMS3”,該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。

為達(dá)到175℃的通道溫度,該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV(智能柔性封裝低電壓)封裝。

這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對(duì)高效緊湊設(shè)備的需求。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管 RoHS: 詳細(xì)信息 產(chǎn)品類型:ESD Suppressors 極性:Unidirectional 工作電壓:8 V 通道數(shù)量:2 Channel 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 擊穿電壓:10 V 鉗位電壓:19.2 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):345 W Vesd - 靜電放電電壓觸點(diǎn):30 kV Vesd - 靜電放電電壓氣隙:30 kV Cd - 二極管電容 :160 pF Ipp - 峰值脈沖電流:18 A 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:GSOT03C to GSOT36C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標(biāo):Vishay Semiconductors 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 單位重量:8.800 mg


BD34301EKV”作為ROHM推出的音頻IC的高端系列“MUS-IC™”中的DAC芯片,在開發(fā)之初就很注重“空間音效”、“規(guī)模感”及“靜謐性”等欣賞古典音樂時(shí)的重要音質(zhì)性能。

憑借ROHM自有的音質(zhì)設(shè)計(jì)技術(shù),在決定音質(zhì)的關(guān)鍵—信號(hào)處理電路設(shè)計(jì)過程中,采用邊確認(rèn)音質(zhì)邊設(shè)計(jì)電路的方式,成功地實(shí)現(xiàn)了目標(biāo)音質(zhì)。

低噪聲(SN比)和低失真率(THD+N特性)作為音頻產(chǎn)品的重要特性,也達(dá)到了業(yè)界極高水平(SN比130dB,THD+N-115dB),其性能非常適合高音質(zhì)音響設(shè)備。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

雙通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模塊---“MG800FXF2YMS3”,該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。

為達(dá)到175℃的通道溫度,該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV(智能柔性封裝低電壓)封裝。

這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對(duì)高效緊湊設(shè)備的需求。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管 RoHS: 詳細(xì)信息 產(chǎn)品類型:ESD Suppressors 極性:Unidirectional 工作電壓:8 V 通道數(shù)量:2 Channel 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 擊穿電壓:10 V 鉗位電壓:19.2 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):345 W Vesd - 靜電放電電壓觸點(diǎn):30 kV Vesd - 靜電放電電壓氣隙:30 kV Cd - 二極管電容 :160 pF Ipp - 峰值脈沖電流:18 A 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:GSOT03C to GSOT36C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標(biāo):Vishay Semiconductors 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 單位重量:8.800 mg


BD34301EKV”作為ROHM推出的音頻IC的高端系列“MUS-IC™”中的DAC芯片,在開發(fā)之初就很注重“空間音效”、“規(guī)模感”及“靜謐性”等欣賞古典音樂時(shí)的重要音質(zhì)性能。

憑借ROHM自有的音質(zhì)設(shè)計(jì)技術(shù),在決定音質(zhì)的關(guān)鍵—信號(hào)處理電路設(shè)計(jì)過程中,采用邊確認(rèn)音質(zhì)邊設(shè)計(jì)電路的方式,成功地實(shí)現(xiàn)了目標(biāo)音質(zhì)。

低噪聲(SN比)和低失真率(THD+N特性)作為音頻產(chǎn)品的重要特性,也達(dá)到了業(yè)界極高水平(SN比130dB,THD+N-115dB),其性能非常適合高音質(zhì)音響設(shè)備。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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