一個(gè)晶體管(1T)和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)組成的1M位MRAM
發(fā)布時(shí)間:2021/3/14 23:59:39 訪問次數(shù):279
MWAM技術(shù)也給汽車工業(yè)帶來好處。它能用來滿足智能卡的需要,這種智能卡需要有效和成本效率的非揮發(fā)性的存儲(chǔ)器,它能工作在高速度,在讀寫周期有大交換量。
它也有可能改善諸如通信和無鑰匙開車門的功能。公司計(jì)劃在2004年大量生產(chǎn)。
摩托羅拉公司成功地演示它的用一個(gè)晶體管(1T)和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)組成的1M位MRAM,其讀寫周期小于50ns。
產(chǎn)品分類DC/DC開關(guān)轉(zhuǎn)換器
電源管理
功能降壓 輸出配置正 輸出類型可調(diào)式 輸出端數(shù)2 輸入電壓(最大值)5.5V 輸入電壓(最小值)2.5V 輸出電壓(最小值/固定)0.6V 輸出電壓(最大值)5.5V 開關(guān)頻率1.5MHz 同步整流是 工作溫度-40°C~85°C(TA) 封裝/外殼12-WFDFN裸露焊盤
4 mA至20 mA電流環(huán)路一直是工業(yè)模擬信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)。
該信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)的主要優(yōu)點(diǎn)是信號(hào)經(jīng)長電纜傳輸時(shí)幾乎無衰減,因而在工業(yè)和工廠等易產(chǎn)生EMI的環(huán)境中,其魯棒性更高。
相反,如果使用電壓輸出,由于電纜有電阻,長電纜(大于10米)會(huì)產(chǎn)生壓降,導(dǎo)致傳感器數(shù)據(jù)丟失和讀數(shù)不正確。
在VOUT和VIN之間放置一個(gè)−3 dB帶寬為36 kHz的2極點(diǎn)RC低通濾波器。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
MWAM技術(shù)也給汽車工業(yè)帶來好處。它能用來滿足智能卡的需要,這種智能卡需要有效和成本效率的非揮發(fā)性的存儲(chǔ)器,它能工作在高速度,在讀寫周期有大交換量。
它也有可能改善諸如通信和無鑰匙開車門的功能。公司計(jì)劃在2004年大量生產(chǎn)。
摩托羅拉公司成功地演示它的用一個(gè)晶體管(1T)和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)組成的1M位MRAM,其讀寫周期小于50ns。
產(chǎn)品分類DC/DC開關(guān)轉(zhuǎn)換器
電源管理
功能降壓 輸出配置正 輸出類型可調(diào)式 輸出端數(shù)2 輸入電壓(最大值)5.5V 輸入電壓(最小值)2.5V 輸出電壓(最小值/固定)0.6V 輸出電壓(最大值)5.5V 開關(guān)頻率1.5MHz 同步整流是 工作溫度-40°C~85°C(TA) 封裝/外殼12-WFDFN裸露焊盤
4 mA至20 mA電流環(huán)路一直是工業(yè)模擬信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)。
該信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)的主要優(yōu)點(diǎn)是信號(hào)經(jīng)長電纜傳輸時(shí)幾乎無衰減,因而在工業(yè)和工廠等易產(chǎn)生EMI的環(huán)境中,其魯棒性更高。
相反,如果使用電壓輸出,由于電纜有電阻,長電纜(大于10米)會(huì)產(chǎn)生壓降,導(dǎo)致傳感器數(shù)據(jù)丟失和讀數(shù)不正確。
在VOUT和VIN之間放置一個(gè)−3 dB帶寬為36 kHz的2極點(diǎn)RC低通濾波器。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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