1M位MRAM存儲器能消除電子設(shè)備中共同問題，如計算機(jī)和手機(jī)的上電慢，數(shù)據(jù)遺失，裝載數(shù)據(jù)長時間等待，電池壽命短等。

MRAM設(shè)計成允許所有的程序和數(shù)據(jù)保持在局部的存儲器，即使在電源關(guān)斷時。它也能期望消除手機(jī)開機(jī)時的延時。

存儲器芯片技術(shù)能把多種存儲器集成在單一芯片中。不需要多種類型存儲器導(dǎo)致更小型的產(chǎn)品，更多的功能。

產(chǎn)品分類線性穩(wěn)壓器及LDO

電源管理

安裝類型表面貼裝(SMT) 工作溫度-40°C~85°C（TA） 封裝/外殼SOT-23-5細(xì)型，TSOT-23-5 產(chǎn)品分類線性穩(wěn)壓器及LDO

電源管理

安裝類型表面貼裝(SMT) 工作溫度-40°C~85°C（TA） 封裝/外殼SOT-23-5細(xì)型，TSOT-23-5

單軸ADXL1002 MEMS加速度計組成，其模擬電壓輸出由AD5749電壓至電流轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為4 mA至20 mA信號標(biāo)準(zhǔn)。

AD5749輸入(VIN)擺幅為0 V至4.096 V，而ADXL1002模擬輸出電壓(VOUT)擺幅為0 V至VDD，故VDD必須設(shè)置為4.096 V。

因此，選擇LT6654AMPS6-4.096來提供4.096 V電壓，其在-55°C至125°C的溫度范圍內(nèi)的溫度穩(wěn)定性為10 ppm/°C。