器件有很高的光靈敏度，提供高EMI抑制，集成的日光濾波器使它能和紅外(IR)發(fā)射器的光譜匹配，波長(zhǎng)為何50nm.TEKS6400紅外輻射閾值為40umW/cm2.

TTL和CMOS兼容光電檢測(cè)器有數(shù)字輸出-集電極開(kāi)路，如果紅外光"有"，是低輸出信號(hào)以及和數(shù)字IC有數(shù)字接口。它也有FSZ標(biāo)準(zhǔn)扇型的封裝。

對(duì)于完整的光傳感器解決方案，Vishay公司推薦和IR發(fā)射器TSKS5400兼容的封裝。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-6 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:2.5 A, 1.7 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:77 mOhms, 170 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:600 mV Qg-柵極電荷:3 nC, 3.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:830 mW 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 系列:SI3 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:10 S, 5 S 下降時(shí)間:7 ns, 20 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:12 ns, 15 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 ns, 20 ns 典型接通延遲時(shí)間:5 ns, 5 ns 零件號(hào)別名:SI3590DV-T1 單位重量:20 mg

通過(guò)添加外電阻器可實(shí)現(xiàn)更高級(jí)的輸出電壓調(diào)節(jié)。該模塊的效率極高，在輸出電流為4A時(shí)效率為93%。

該電源模塊還有短路保護(hù)、待機(jī)、輸出禁制和熱關(guān)斷等功能。

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