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TrenchFET® Gen IV技術(shù)降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗性能基準(zhǔn)

發(fā)布時(shí)間:2021/3/16 18:38:20 訪問次數(shù):1086

器件能夠產(chǎn)生高達(dá)2A的開關(guān)電流,是最接近的競(jìng)爭(zhēng)方案的兩倍。

而靜態(tài)電流消耗僅為350nA,是競(jìng)爭(zhēng)方案的一半。該款nanoPower boost轉(zhuǎn)換器具有短路保護(hù)、真關(guān)斷特性,可以支持400mV至5.5V的輸入電壓范圍,將電池供電壽命延長(zhǎng)10%以上。

MAX17291:MAX17291可提供高達(dá)20V的boost輸出電壓,與最接近的競(jìng)爭(zhēng)方案相比,靜態(tài)電流降低80%,方案尺寸減小60%。

制造商:Monolithic Power Systems (MPS) 產(chǎn)品種類:開關(guān)穩(wěn)壓器 RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-8 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Buck 系列:MP9942 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產(chǎn)品:Voltage Regulators 類型:Synchronous Step-Down Converter 商標(biāo):Monolithic Power Systems (MPS) 產(chǎn)品類型:Switching Voltage Regulators 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:40 mg

產(chǎn)品編號(hào)PWM電平電流輸入電壓SiC8225 V70 A4.5 V - 16 VSiC822A3.3 VSiC8205 V80 ASiC820A3.3 VSiC8405 V100 ASiC840A3.3 VSiC8325 V70 A4.5 V - 21 VSiC832A3.3 VSiC8305 V80 ASiC830A3.3 V

日前發(fā)布的功率模塊含有功率MOSFET和先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)IC。為提高能效,器件內(nèi)部MOSFET采用先進(jìn)的TrenchFET® Gen IV技術(shù),這一技術(shù)確立行業(yè)性能基準(zhǔn),顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。



(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

器件能夠產(chǎn)生高達(dá)2A的開關(guān)電流,是最接近的競(jìng)爭(zhēng)方案的兩倍。

而靜態(tài)電流消耗僅為350nA,是競(jìng)爭(zhēng)方案的一半。該款nanoPower boost轉(zhuǎn)換器具有短路保護(hù)、真關(guān)斷特性,可以支持400mV至5.5V的輸入電壓范圍,將電池供電壽命延長(zhǎng)10%以上。

MAX17291:MAX17291可提供高達(dá)20V的boost輸出電壓,與最接近的競(jìng)爭(zhēng)方案相比,靜態(tài)電流降低80%,方案尺寸減小60%。

制造商:Monolithic Power Systems (MPS) 產(chǎn)品種類:開關(guān)穩(wěn)壓器 RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-8 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Buck 系列:MP9942 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產(chǎn)品:Voltage Regulators 類型:Synchronous Step-Down Converter 商標(biāo):Monolithic Power Systems (MPS) 產(chǎn)品類型:Switching Voltage Regulators 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:40 mg

產(chǎn)品編號(hào)PWM電平電流輸入電壓SiC8225 V70 A4.5 V - 16 VSiC822A3.3 VSiC8205 V80 ASiC820A3.3 VSiC8405 V100 ASiC840A3.3 VSiC8325 V70 A4.5 V - 21 VSiC832A3.3 VSiC8305 V80 ASiC830A3.3 V

日前發(fā)布的功率模塊含有功率MOSFET和先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)IC。為提高能效,器件內(nèi)部MOSFET采用先進(jìn)的TrenchFET® Gen IV技術(shù),這一技術(shù)確立行業(yè)性能基準(zhǔn),顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。



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