TrenchFET® Gen IV技術(shù)降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗性能基準(zhǔn)
發(fā)布時(shí)間:2021/3/16 18:38:20 訪問次數(shù):1086
器件能夠產(chǎn)生高達(dá)2A的開關(guān)電流,是最接近的競(jìng)爭(zhēng)方案的兩倍。
而靜態(tài)電流消耗僅為350nA,是競(jìng)爭(zhēng)方案的一半。該款nanoPower boost轉(zhuǎn)換器具有短路保護(hù)、真關(guān)斷特性,可以支持400mV至5.5V的輸入電壓范圍,將電池供電壽命延長(zhǎng)10%以上。
MAX17291:MAX17291可提供高達(dá)20V的boost輸出電壓,與最接近的競(jìng)爭(zhēng)方案相比,靜態(tài)電流降低80%,方案尺寸減小60%。
制造商:Monolithic Power Systems (MPS) 產(chǎn)品種類:開關(guān)穩(wěn)壓器 RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-8 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Buck 系列:MP9942 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產(chǎn)品:Voltage Regulators 類型:Synchronous Step-Down Converter 商標(biāo):Monolithic Power Systems (MPS) 產(chǎn)品類型:Switching Voltage Regulators 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:40 mg
產(chǎn)品編號(hào)PWM電平電流輸入電壓SiC8225 V70 A4.5 V - 16 VSiC822A3.3 VSiC8205 V80 ASiC820A3.3 VSiC8405 V100 ASiC840A3.3 VSiC8325 V70 A4.5 V - 21 VSiC832A3.3 VSiC8305 V80 ASiC830A3.3 V
日前發(fā)布的功率模塊含有功率MOSFET和先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)IC。為提高能效,器件內(nèi)部MOSFET采用先進(jìn)的TrenchFET® Gen IV技術(shù),這一技術(shù)確立行業(yè)性能基準(zhǔn),顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。
器件能夠產(chǎn)生高達(dá)2A的開關(guān)電流,是最接近的競(jìng)爭(zhēng)方案的兩倍。
而靜態(tài)電流消耗僅為350nA,是競(jìng)爭(zhēng)方案的一半。該款nanoPower boost轉(zhuǎn)換器具有短路保護(hù)、真關(guān)斷特性,可以支持400mV至5.5V的輸入電壓范圍,將電池供電壽命延長(zhǎng)10%以上。
MAX17291:MAX17291可提供高達(dá)20V的boost輸出電壓,與最接近的競(jìng)爭(zhēng)方案相比,靜態(tài)電流降低80%,方案尺寸減小60%。
制造商:Monolithic Power Systems (MPS) 產(chǎn)品種類:開關(guān)穩(wěn)壓器 RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-8 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Buck 系列:MP9942 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產(chǎn)品:Voltage Regulators 類型:Synchronous Step-Down Converter 商標(biāo):Monolithic Power Systems (MPS) 產(chǎn)品類型:Switching Voltage Regulators 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:40 mg
產(chǎn)品編號(hào)PWM電平電流輸入電壓SiC8225 V70 A4.5 V - 16 VSiC822A3.3 VSiC8205 V80 ASiC820A3.3 VSiC8405 V100 ASiC840A3.3 VSiC8325 V70 A4.5 V - 21 VSiC832A3.3 VSiC8305 V80 ASiC830A3.3 V
日前發(fā)布的功率模塊含有功率MOSFET和先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)IC。為提高能效,器件內(nèi)部MOSFET采用先進(jìn)的TrenchFET® Gen IV技術(shù),這一技術(shù)確立行業(yè)性能基準(zhǔn),顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。
熱門點(diǎn)擊
- 電子高速調(diào)試端口(HSDP)連接和傳感器技術(shù)
- 新型SensPro2系列高功效傳感器中樞DS
- 陶瓷PCB具有新型的導(dǎo)熱材料和新型的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
- 光耦合器TRIAC壁式調(diào)光器相兼容大電流能力
- 內(nèi)置的A/D轉(zhuǎn)換器減少微控制器的監(jiān)測(cè)電流
- 100%引腳兼容石英器件BT817芯片的高精
- 高低電壓檢測(cè)(HLVD)和循環(huán)冗余檢查(CR
- 智能型熱釋電PIR(Passive Infr
- 16個(gè)通道的數(shù)字輸出卷線型線圈電路中的應(yīng)用
- TrenchFET® Gen IV
推薦技術(shù)資料
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- 業(yè)界超小絕對(duì)位置編碼器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
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