為了實現(xiàn)更精確的控制，有時在功率MOSFET和大地之間會接一個采樣電阻，用這個采樣電阻來檢測流過MOSFET的電流，從而使控制器能快速做出響應(yīng)。

而為了使MOSFET的驅(qū)動環(huán)路足夠小，會將驅(qū)動器的GND引腳與MOSFET的源極連接在一起，而控制芯片的GND與真正的地平面在一起，這樣驅(qū)動器的GND和控制芯片GND之間就會存在一個偏置電壓，因此控制芯片輸出低電平時，相對于驅(qū)動器的輸入端，則有一個負向的偏置電壓。

產(chǎn)品分類MOSFETs

晶體管

FET配置（電路類型）N和P溝道互補型 漏極電流（Id, 連續(xù)）3.4A，2.5A 閾值電壓Vgs(th)1V@250μA 最大耗散功率1.1W 封裝/外殼SC-74，SOT-457 產(chǎn)品分類MOSFETs

晶體管

FET配置（電路類型）N和P溝道互補型 漏極電流（Id, 連續(xù)）3.4A，2.5A 閾值電壓Vgs(th)1V@250μA 最大耗散功率1.1W 封裝/外殼SC-74，SOT-457

因為功率MOSFET對柵極驅(qū)動電流有較高的要求，驅(qū)動芯片就相當于PWM開關(guān)控制芯片與功率MOSFET之間的橋梁，用來將開關(guān)信號電流和電壓放大，同時具備一定的故障隔離能力。

選用高速高可靠性的驅(qū)動IC，可以幫助電源系統(tǒng)提升效率和功率密度。