在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運(yùn)算能力上，Longsys DDR5增加內(nèi)置糾錯(cuò)碼（ECC），全面實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯(cuò)能力，進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)完整性，同時(shí)也緩解了系統(tǒng)錯(cuò)誤校正負(fù)擔(dān)并充分利用DRAM讀寫(xiě)的高效機(jī)制。

增加16n的預(yù)取模式,BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍，信號(hào)能夠更完整高效地傳遞。

DDR5 DIMM新架構(gòu)采用了兩個(gè)完全獨(dú)立的32位通道，提高了并發(fā)性，并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:4.2 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:25 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:500 mV Qg-柵極電荷:9.6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:780 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 系列:DMG3414 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel 商標(biāo):Diodes Incorporated 下降時(shí)間:9.6 ns 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:8.3 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類(lèi)別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:40.1 ns 典型接通延遲時(shí)間:8.1 ns 單位重量:8 mg

新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程導(dǎo)電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用。

中微公司雙反應(yīng)臺(tái)電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®

基于中微公司業(yè)已成熟的單臺(tái)反應(yīng)器的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術(shù)和雙臺(tái)反應(yīng)器的Primo平臺(tái)，Primo Twin-Star®為電介質(zhì)前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價(jià)比的刻蝕解決方案。

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