Zetex推出全新20V和30V N信道晶體管，成功把舊有SOT23封裝MOSFET的導(dǎo)通電阻減半、漏極電流提升一倍，在25°C環(huán)境溫度下功率耗散由625mW提升至1W。

    全新ZXMN2A14F及ZXMN3A14F強(qiáng)化溝道MOSFET，采用Zetex SOT23封裝，結(jié)點至環(huán)境的熱阻較舊有SOT23器件低出百分之三十七，由每瓦特200°C銳減至125°C，足可發(fā)揮更大效益。

    20V N信道MOSFET可在60mΩ導(dǎo)通電阻和4.5V柵驅(qū)動下，提供4.1A連續(xù)漏極電流。30V器件在65mΩ導(dǎo)通電阻和10V柵驅(qū)動下的連續(xù)漏極電流達(dá)3.9A。

    Zetex亞太區(qū)有限公司董事總經(jīng)理David Slack表示：“兩款新MOSFET適合高效率、低電壓的功率管理應(yīng)用，包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、隔離開關(guān)及馬達(dá)控制器。它們把低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)優(yōu)點合而為一�！�