穩(wěn)壓輸出自然對(duì)流冷卻的AC-DC電源LCS的系統(tǒng)集成
發(fā)布時(shí)間:2021/3/19 20:03:31 訪問次數(shù):373
穩(wěn)壓輸出、自然對(duì)流冷卻的AC-DC電源LCS系列,該系列非常適合注重預(yù)算的應(yīng)用。
四個(gè)新系列(LCS35、LCS50、LCS75和LCS100)分別提供35W、50W、75W和100W的功率水平,并符合B級(jí)傳導(dǎo)和輻射標(biāo)準(zhǔn),便于低成本的系統(tǒng)集成,同時(shí)集成了連接器蓋,以提高安裝后的安全性。
該產(chǎn)品的輸入電壓范圍為85至264VAC,便于在全球范圍內(nèi)廣泛用于ITE和工業(yè)應(yīng)用;這些應(yīng)用包括輔助電源、安全裝置、照明控制、智能家居或辦公室控制系統(tǒng)、票務(wù)和自動(dòng)售貨機(jī)。
LCS35系列有四種模塊可選,額定輸出為5V、12V、15V和24V。
制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:31.8 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:450 mV Qg-柵極電荷:18 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.1 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 系列:SI2 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.6 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:24 S 下降時(shí)間:8 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:17 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:31 ns 典型接通延遲時(shí)間:8 ns 零件號(hào)別名:SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3 單位重量:8 mg
對(duì)地漏電流最大為0.75mA。工作高度可達(dá)5000米,加強(qiáng)了其全球使用的能力。CSU2000ADC-3 采用48V輸入和12V輸出,可輸出2000W功率。
這款產(chǎn)品的封裝大小符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的通用冗余電源(CRPS)的大小規(guī)格,令其可以輕易融入客戶的系統(tǒng)設(shè)計(jì)之中。CSU2000ADC-3 電源可支持多種不同應(yīng)用,其中包括傳統(tǒng)的交流電數(shù)據(jù)中心和直流電信機(jī)房,也可用于越趨普及的直流數(shù)據(jù)中心。
客戶若采用這款電源為這三類應(yīng)用開發(fā)新產(chǎn)品,便可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,降低研發(fā)成本和投資風(fēng)險(xiǎn)。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
穩(wěn)壓輸出、自然對(duì)流冷卻的AC-DC電源LCS系列,該系列非常適合注重預(yù)算的應(yīng)用。
四個(gè)新系列(LCS35、LCS50、LCS75和LCS100)分別提供35W、50W、75W和100W的功率水平,并符合B級(jí)傳導(dǎo)和輻射標(biāo)準(zhǔn),便于低成本的系統(tǒng)集成,同時(shí)集成了連接器蓋,以提高安裝后的安全性。
該產(chǎn)品的輸入電壓范圍為85至264VAC,便于在全球范圍內(nèi)廣泛用于ITE和工業(yè)應(yīng)用;這些應(yīng)用包括輔助電源、安全裝置、照明控制、智能家居或辦公室控制系統(tǒng)、票務(wù)和自動(dòng)售貨機(jī)。
LCS35系列有四種模塊可選,額定輸出為5V、12V、15V和24V。
制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:31.8 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:450 mV Qg-柵極電荷:18 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.1 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 系列:SI2 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.6 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:24 S 下降時(shí)間:8 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:17 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:31 ns 典型接通延遲時(shí)間:8 ns 零件號(hào)別名:SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3 單位重量:8 mg
對(duì)地漏電流最大為0.75mA。工作高度可達(dá)5000米,加強(qiáng)了其全球使用的能力。CSU2000ADC-3 采用48V輸入和12V輸出,可輸出2000W功率。
這款產(chǎn)品的封裝大小符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的通用冗余電源(CRPS)的大小規(guī)格,令其可以輕易融入客戶的系統(tǒng)設(shè)計(jì)之中。CSU2000ADC-3 電源可支持多種不同應(yīng)用,其中包括傳統(tǒng)的交流電數(shù)據(jù)中心和直流電信機(jī)房,也可用于越趨普及的直流數(shù)據(jù)中心。
客戶若采用這款電源為這三類應(yīng)用開發(fā)新產(chǎn)品,便可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,降低研發(fā)成本和投資風(fēng)險(xiǎn)。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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