20Vmax的柵極穩(wěn)健性及簡化縮小的裝配結(jié)構(gòu)
發(fā)布時間:2021/3/21 23:52:29 訪問次數(shù):692
與Everis LQ 系列的其他產(chǎn)品相同，新款 BLQ6 快速接頭采用多葉密封，可以在長時間連接期間提供多重保護，防止泄漏，而且接頭不會變形。
多葉密封可提供比標準 O 形環(huán)更高的密封效率，同時連接時需要的力更小。Everis BLQ6 接頭采用閥式設(shè)計，在連接狀態(tài)下亦無密封摩擦，可以確保閥門在接頭斷開時能夠快速且可靠地關(guān)閉。
得益于無泄漏設(shè)在壓力下斷開連接亦不會發(fā)生滴漏，從而防止電子設(shè)備暴露于流體并實現(xiàn)設(shè)備熱插拔。
此外，Everis BLQ6 盲插接頭具有可選的面板安裝套件。
產(chǎn)品種類: 串行器/解串器 - Serdes
RoHS: 詳細信息
類型: Serializer
數(shù)據(jù)速率: 201 Mb/s
輸入類型: CMOS
輸出類型: SubLVDS
輸入端數(shù)量: 8 Input
輸出端數(shù)量: 1 Output
工作電源電壓: 1.8 V to 3.3 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VQFN-24
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: SN65LVDS315
商標: Texas Instruments
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Serializers & Deserializers - Serdes
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: Interface ICs
單位重量: 45.400 mg
通過單臺設(shè)備將功率提高到兩位數(shù)千瓦，從而繼續(xù)證明GaN具有提供更高性能、更低系統(tǒng)成本和更高功率密度的能力。
我們的Gen V GaN平臺為以前需要并聯(lián)的功率電平創(chuàng)造了新的設(shè)計機會，同時仍能提供超過99%的效率。
Transphorm的SuperGaN™技術(shù)優(yōu)于碳化硅，SuperGaN Gen V平臺融合了其上一代Gen IV的所有經(jīng)驗、獲專利的減小封裝電感技術(shù)、易于設(shè)計性和可驅(qū)動性（4V的Vth，以實現(xiàn)抗擾性）和+/- 20 Vmax的柵極穩(wěn)健性，以及簡化縮小的裝配結(jié)構(gòu)。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
與Everis LQ 系列的其他產(chǎn)品相同，新款 BLQ6 快速接頭采用多葉密封，可以在長時間連接期間提供多重保護，防止泄漏，而且接頭不會變形。
多葉密封可提供比標準 O 形環(huán)更高的密封效率，同時連接時需要的力更小。Everis BLQ6 接頭采用閥式設(shè)計，在連接狀態(tài)下亦無密封摩擦，可以確保閥門在接頭斷開時能夠快速且可靠地關(guān)閉。
得益于無泄漏設(shè)在壓力下斷開連接亦不會發(fā)生滴漏，從而防止電子設(shè)備暴露于流體并實現(xiàn)設(shè)備熱插拔。
此外，Everis BLQ6 盲插接頭具有可選的面板安裝套件。
產(chǎn)品種類: 串行器/解串器 - Serdes
RoHS: 詳細信息
類型: Serializer
數(shù)據(jù)速率: 201 Mb/s
輸入類型: CMOS
輸出類型: SubLVDS
輸入端數(shù)量: 8 Input
輸出端數(shù)量: 1 Output
工作電源電壓: 1.8 V to 3.3 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VQFN-24
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: SN65LVDS315
商標: Texas Instruments
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Serializers & Deserializers - Serdes
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: Interface ICs
單位重量: 45.400 mg
通過單臺設(shè)備將功率提高到兩位數(shù)千瓦，從而繼續(xù)證明GaN具有提供更高性能、更低系統(tǒng)成本和更高功率密度的能力。
我們的Gen V GaN平臺為以前需要并聯(lián)的功率電平創(chuàng)造了新的設(shè)計機會，同時仍能提供超過99%的效率。
Transphorm的SuperGaN™技術(shù)優(yōu)于碳化硅，SuperGaN Gen V平臺融合了其上一代Gen IV的所有經(jīng)驗、獲專利的減小封裝電感技術(shù)、易于設(shè)計性和可驅(qū)動性（4V的Vth，以實現(xiàn)抗擾性）和+/- 20 Vmax的柵極穩(wěn)健性，以及簡化縮小的裝配結(jié)構(gòu)。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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