域控制器功能安全和底層驅(qū)動(dòng)程序增強(qiáng)型封裝持續(xù)簡(jiǎn)化軟件開發(fā)
發(fā)布時(shí)間:2023/12/30 23:31:54 訪問(wèn)次數(shù):24
S32K3微控制器(MCU)系列,這是S32K產(chǎn)品線的最新產(chǎn)品。S32K1系列是一個(gè)重要的轉(zhuǎn)折點(diǎn),強(qiáng)調(diào)了軟件在汽車開發(fā)中的核心作用。
軟件開發(fā)是現(xiàn)代汽車開發(fā)領(lǐng)域面臨的主要挑戰(zhàn)之一,而S32K3 MCU系列旨在幫助客戶應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。
全新的S32K3系列專門用于車身電子系統(tǒng)、電池管理和新興的域控制器,利用涵蓋網(wǎng)絡(luò)安全、功能安全和底層驅(qū)動(dòng)程序的增強(qiáng)型封裝持續(xù)簡(jiǎn)化軟件開發(fā)。
S32K3將恩智浦的S32汽車平臺(tái)從網(wǎng)關(guān)和域控制擴(kuò)展到區(qū)域控制和邊緣節(jié)點(diǎn)。
制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-6 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:2.1 A, 3.9 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:58 mOhms, 195 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:600 mV Qg-柵極電荷:3.2 nC, 6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W, 1.4 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1.1 mm 長(zhǎng)度:3.05 mm 系列:SI3 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 寬度:1.65 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:1 S, 12 S 下降時(shí)間:9 ns, 28 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:16 ns, 37 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 ns, 25 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns, 16 ns 零件號(hào)別名:SI3585CDV-GE3 單位重量:20 mg
面向先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和自動(dòng)駕駛應(yīng)用的新一代神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器(NNA)產(chǎn)品IMG Series4。
Series4可為領(lǐng)先的汽車行業(yè)顛覆者、一級(jí)供應(yīng)商、整車廠(OEM)和汽車系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)廠商提供強(qiáng)大助力。
這款2英寸乘以2英寸(50.8 mm*50.8mm)電路板可實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能和包含所有關(guān)鍵元件,從而可以快速評(píng)估EPC2059的性能。該領(lǐng)域諸如人工智能、云計(jì)算和高端游戲系統(tǒng)等多種應(yīng)用正呈爆炸式增長(zhǎng)。
S32K3微控制器(MCU)系列,這是S32K產(chǎn)品線的最新產(chǎn)品。S32K1系列是一個(gè)重要的轉(zhuǎn)折點(diǎn),強(qiáng)調(diào)了軟件在汽車開發(fā)中的核心作用。
軟件開發(fā)是現(xiàn)代汽車開發(fā)領(lǐng)域面臨的主要挑戰(zhàn)之一,而S32K3 MCU系列旨在幫助客戶應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。
全新的S32K3系列專門用于車身電子系統(tǒng)、電池管理和新興的域控制器,利用涵蓋網(wǎng)絡(luò)安全、功能安全和底層驅(qū)動(dòng)程序的增強(qiáng)型封裝持續(xù)簡(jiǎn)化軟件開發(fā)。
S32K3將恩智浦的S32汽車平臺(tái)從網(wǎng)關(guān)和域控制擴(kuò)展到區(qū)域控制和邊緣節(jié)點(diǎn)。
制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-6 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:2.1 A, 3.9 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:58 mOhms, 195 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:600 mV Qg-柵極電荷:3.2 nC, 6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W, 1.4 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1.1 mm 長(zhǎng)度:3.05 mm 系列:SI3 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 寬度:1.65 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:1 S, 12 S 下降時(shí)間:9 ns, 28 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:16 ns, 37 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 ns, 25 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns, 16 ns 零件號(hào)別名:SI3585CDV-GE3 單位重量:20 mg
面向先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和自動(dòng)駕駛應(yīng)用的新一代神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器(NNA)產(chǎn)品IMG Series4。
Series4可為領(lǐng)先的汽車行業(yè)顛覆者、一級(jí)供應(yīng)商、整車廠(OEM)和汽車系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)廠商提供強(qiáng)大助力。
這款2英寸乘以2英寸(50.8 mm*50.8mm)電路板可實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能和包含所有關(guān)鍵元件,從而可以快速評(píng)估EPC2059的性能。該領(lǐng)域諸如人工智能、云計(jì)算和高端游戲系統(tǒng)等多種應(yīng)用正呈爆炸式增長(zhǎng)。
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