在高溫讀寫操作可靠性、輻射固化、耐擦寫能力和數(shù)據(jù)保留期限等方面，意法半導(dǎo)體按照汽車應(yīng)用的最嚴(yán)格要求開發(fā)測(cè)試嵌入式相變存儲(chǔ)器技術(shù)，這款嵌入式相變存儲(chǔ)器ePCM達(dá)到了汽車AEC-Q100 Grade 0要求，最高工作溫度達(dá)到了+ 165°C。

開發(fā)的DWM1001-DEV，其中包含DWM1001模塊、電池連接器與充電電路、LED、按鈕、Raspberry Pi兼容的連接和USB連接器。另外，此開發(fā)板還隨附J-Link OB，可額外提供調(diào)試與虛擬COM端口功能。

OEM、ODM和一級(jí)汽車制造商的非工程UX設(shè)計(jì)人員能夠在其整個(gè)車隊(duì)中部署品牌特定的觸覺體驗(yàn)。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSSOP-8每個(gè)通道的輸出電流:30 mAVos - 輸入偏置電壓 :3 mV最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 CIb - 輸入偏流:35 nACMRR - 共模抑制比:94 dB系列:封裝:Cut Tape封裝:Reel輸入類型:Rail-to-Rail產(chǎn)品:Operational Amplifier商標(biāo):Texas InstrumentsTHD + 噪聲:0.001 %Ios - 輸入偏置電流 :0.5 nA產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 電源抑制比:2 ÂμV/V2000子類別:Amplifier ICsVcm - 共模電壓:Negative Rail to Positive Rail - 2 V

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在英特爾® 架構(gòu)日，英特爾宣布Xe-LP圖形架構(gòu)將為移動(dòng)平臺(tái)提供先進(jìn)性能。

英特爾銳炬®Xe顯卡顛覆了移動(dòng) PC 視覺體驗(yàn)，搭配第11代智能英特爾酷睿移動(dòng)處理器能夠提供強(qiáng)大的低功耗圖形處理能力，以及強(qiáng)大的媒體、顯示和AI 性能。

通過將第11代智能酷睿移動(dòng)處理器與英特爾銳炬® Xe顯卡和英特爾銳炬® Xe MAX 獨(dú)立顯卡組合，英特爾可打造全新體驗(yàn)，為開發(fā)人員提供更開放的通用軟件框架，并為客戶簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)程序分發(fā)和驗(yàn)證，這有助于英特爾繼續(xù)推動(dòng)創(chuàng)新和鞏固領(lǐng)導(dǎo)地位。

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