BackLED®及BoxLED®兩大系列的歐司朗LED標(biāo)識(shí)照明模組產(chǎn)品秉承德系品質(zhì)，并以其獨(dú)到的專(zhuān)利技術(shù)、專(zhuān)業(yè)的控光技術(shù)在全球范圍內(nèi)廣泛應(yīng)用。此次發(fā)布BackLED® M CP G4 升級(jí)版（A）集“安全”與“智慧”于一體，從材料選擇到燈箱方案，都著眼于現(xiàn)代化城市建設(shè)，為提升生活環(huán)境質(zhì)量與公共安全發(fā)揮良好的作用。

地鐵及軌道交通與城市夜景作為與人們?nèi)粘Ｉ钕⑾⑾嚓P(guān)的兩大場(chǎng)景，各自有著不同的環(huán)境特點(diǎn)，但對(duì)照明產(chǎn)品卻都有著嚴(yán)格的安全與環(huán)保要求。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類(lèi):模數(shù)轉(zhuǎn)換器 - ADCRoHS: 系列:安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-28分辨率:12 bit通道數(shù)量:1 Channel接口類(lèi)型:Parallel采樣比:125 kS/s輸入類(lèi)型:Single-Ended結(jié)構(gòu):SAR模擬電源電壓:4.5 V to 5.5 V數(shù)字電源電壓:4.5 V to 5.5 VSNR – 信噪比:72 dB最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Reel特點(diǎn):Internal Reference高度:2.35 mm長(zhǎng)度:18 mm轉(zhuǎn)換器數(shù)量:1 Converter功耗:75 mW寬度:7.52 mm商標(biāo):Texas Instruments參考類(lèi)型:External, InternalINL - 積分非線性:+/- 0.5 LSB濕度敏感性:Yes工作電源電壓:4.5 V to 5.4 VPd-功率耗散:120 mW產(chǎn)品類(lèi)型:ADCs - Analog to Digital ConvertersSINAD - 信噪和失真率:68 dB1000子類(lèi)別:Data Converter ICs單位重量:730.800 mg

新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)---SiZ240DT，可用來(lái)提高白色家電以及工業(yè)、醫(yī)療和通信應(yīng)用的功率密度和效率。

Vishay SiliconixSiZ240DT在小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm單體封裝中集成高邊和低邊MOSFET，導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）達(dá)到業(yè)界出色水平。

SiZ240DT中的兩個(gè)TrenchFET® MOSFET內(nèi)部采用半橋配置連接。

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