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Si823Hx/825xx隔離柵極驅(qū)動器n信道增強模式MOSFET

發(fā)布時間:2021/3/27 23:45:01 訪問次數(shù):687

Si823Hx/825xx隔離柵極驅(qū)動器。

新產(chǎn)品結(jié)合了更快更安全的開關(guān)、低延遲和高噪聲抑制等能力,可更靠近功率晶體管放置,實現(xiàn)緊湊的印制電路板(PCB)設(shè)計。

這些柵極驅(qū)動器所取得的新進展可以幫助電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員滿足甚至超越日益提高的能效標準及尺寸限制,同時支持使用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)和快速Si FET等新興技術(shù)。

這些驅(qū)動器還改進了瞬態(tài)噪聲抑制能力,進而確?稍诠逃性肼暛h(huán)境中可靠運行。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 - ADC

RoHS: 詳細信息

系列: ADS774H

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-28

分辨率: 12 bit

通道數(shù)量: 1 Channel

接口類型: Parallel

采樣比: 125 kS/s

輸入類型: Single-Ended

結(jié)構(gòu): SAR

模擬電源電壓: 5 V

數(shù)字電源電壓: 4.5 V to 5.5 V

SNR – 信噪比: 72 dB

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Reel

高度: 2.35 mm

長度: 18 mm

轉(zhuǎn)換器數(shù)量: 1 Converter

寬度: 7.52 mm

商標: Texas Instruments

參考類型: External, Internal

INL - 積分非線性: +/- 1 LSB

工作電源電壓: 4.5 V to 5.4 V

Pd-功率耗散: 120 mW

產(chǎn)品類型: ADCs - Analog to Digital Converters

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: Data Converter ICs

單位重量: 2.215 g

3.3mm x 3.3mm 封裝 40V 雙 MOSFET。DMT47M2LDVQ可以取代兩個分立式 MOSFET,以減少眾多汽車產(chǎn)品應(yīng)用中電路板所占用的空間,包括電動座椅控制以及先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 等。

DMT47M2LDVQ 整合了兩個 n 信道增強模式 MOSFET,并就此配置實現(xiàn)了業(yè)界最低的 RDS(ON)  - 在 10V 的 VGS 和 30.2A 的 ID時僅為 10.9mΩ。

DMT47M2LDVQ符合 AEC-Q100 Grade 1 等級規(guī)范,能支持 PPAP 文件,且以 IATF 16949 標準認證的生產(chǎn)設(shè)施制造。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

Si823Hx/825xx隔離柵極驅(qū)動器。

新產(chǎn)品結(jié)合了更快更安全的開關(guān)、低延遲和高噪聲抑制等能力,可更靠近功率晶體管放置,實現(xiàn)緊湊的印制電路板(PCB)設(shè)計。

這些柵極驅(qū)動器所取得的新進展可以幫助電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員滿足甚至超越日益提高的能效標準及尺寸限制,同時支持使用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)和快速Si FET等新興技術(shù)。

這些驅(qū)動器還改進了瞬態(tài)噪聲抑制能力,進而確?稍诠逃性肼暛h(huán)境中可靠運行。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 - ADC

RoHS: 詳細信息

系列: ADS774H

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-28

分辨率: 12 bit

通道數(shù)量: 1 Channel

接口類型: Parallel

采樣比: 125 kS/s

輸入類型: Single-Ended

結(jié)構(gòu): SAR

模擬電源電壓: 5 V

數(shù)字電源電壓: 4.5 V to 5.5 V

SNR – 信噪比: 72 dB

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Reel

高度: 2.35 mm

長度: 18 mm

轉(zhuǎn)換器數(shù)量: 1 Converter

寬度: 7.52 mm

商標: Texas Instruments

參考類型: External, Internal

INL - 積分非線性: +/- 1 LSB

工作電源電壓: 4.5 V to 5.4 V

Pd-功率耗散: 120 mW

產(chǎn)品類型: ADCs - Analog to Digital Converters

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: Data Converter ICs

單位重量: 2.215 g

3.3mm x 3.3mm 封裝 40V 雙 MOSFET。DMT47M2LDVQ可以取代兩個分立式 MOSFET,以減少眾多汽車產(chǎn)品應(yīng)用中電路板所占用的空間,包括電動座椅控制以及先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 等。

DMT47M2LDVQ 整合了兩個 n 信道增強模式 MOSFET,并就此配置實現(xiàn)了業(yè)界最低的 RDS(ON)  - 在 10V 的 VGS 和 30.2A 的 ID時僅為 10.9mΩ。

DMT47M2LDVQ符合 AEC-Q100 Grade 1 等級規(guī)范,能支持 PPAP 文件,且以 IATF 16949 標準認證的生產(chǎn)設(shè)施制造。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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