單純的溫度保護功能， 已不能滿足日新月異電器、電機、馬達及3C產(chǎn)品安全保護的需求，因此再研發(fā)出能因應(yīng)因溫度、電流及電壓異常情況下同時監(jiān)控并及時保護的組件， 而此樣組件的興起主要以鋰離子電池及鋰高分子電池為最大應(yīng)用。

過流過壓(OCOV),隨著現(xiàn)代電子產(chǎn)品的復雜化，對于保護組件運用的要求也日益提高，如保護的全面性、有限的預留空間等.

隨著這些要求的提出，保護組件界掀起了一場組合封裝的熱潮，如上面提到過流過溫保護也算組合封裝的一種，但過流過壓保護組合封裝產(chǎn)品目前大多數(shù)還處在研發(fā)階段，還沒有成熟的商業(yè)化產(chǎn)品面市。

制造商:NXP 產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 晶體管極性:N-Channel 技術(shù):Si Vds-漏源極擊穿電壓:130 V 工作頻率:1.8 MHz to 600 MHz 增益:26.6 dB 輸出功率:300 W 最小工作溫度:- 30 C 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 類型:RF Power MOSFET 商標:NXP Semiconductors Pd-功率耗散:1.05 kW 產(chǎn)品類型:RF MOSFET Transistors 工廠包裝數(shù)量250 子類別:MOSFETs Vgs - 柵極-源極電壓:10 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V 零件號別名:935317343128 單位重量:6.396 g

真無線立體聲（TWS）耳塞的TMD2636全集成式接近光傳感器模塊采用超小型厚度為0.35mm封裝，體積僅為0.7mm3

傳感器利用艾邁斯半導體在光學傳感器硬件和軟件方面的創(chuàng)新，提供可靠的入耳接近檢測，為耳塞在不使用時降低功耗，延長耳塞待機時間

TMD2636的尺寸極小，這意味著可在耳塞集成多個接近傳感器來提高可靠性或增加新功能，從而提升用戶體驗.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）