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高速PCIe 3.0接口實(shí)現(xiàn)了行業(yè)頂級(jí)的20W輸出和高速響應(yīng)

發(fā)布時(shí)間:2021/4/2 13:31:31 訪問(wèn)次數(shù):444

SD Express存儲(chǔ)卡,采用高速PCIe 3.0接口,標(biāo)志著存儲(chǔ)卡技術(shù)的革新。

未來(lái)我們可以將雷克沙SD Express存儲(chǔ)卡應(yīng)用于超高分辨率的內(nèi)容存儲(chǔ),如攝影攝像設(shè)備、PC電腦、影視應(yīng)用及汽車存儲(chǔ)等,為用戶帶來(lái)更高性能的存儲(chǔ)體驗(yàn)。

因其結(jié)構(gòu)性優(yōu)勢(shì),SD Express存儲(chǔ)卡與目前市場(chǎng)上數(shù)十億的SD主機(jī)設(shè)備兼容,讓消費(fèi)者與SD Express存儲(chǔ)卡真正做到無(wú)縫銜接。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 11 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 27 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 49 S

下降時(shí)間: 2 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 2.4 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns

典型接通延遲時(shí)間: 2.3 ns

零件號(hào)別名: BSZ0506NS SP001281636

單位重量: 34.370 mg

VCSEL模塊

搭載了4個(gè)VCSEL,實(shí)現(xiàn)了行業(yè)頂級(jí)的20W輸出和高速響應(yīng),

最適合用于在寬闊檢測(cè)范圍內(nèi)進(jìn)行長(zhǎng)距離測(cè)量的工業(yè)設(shè)備等。

堆疊結(jié)構(gòu)VCSEL組件

新開(kāi)發(fā)的驅(qū)動(dòng)程序和VCSEL采用堆疊結(jié)構(gòu)使之小型化,實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的高速響應(yīng)和高輸出功率。

內(nèi)置保護(hù)電路(電流、電壓、溫度),最適合所有TOF方式。


(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

SD Express存儲(chǔ)卡,采用高速PCIe 3.0接口,標(biāo)志著存儲(chǔ)卡技術(shù)的革新。

未來(lái)我們可以將雷克沙SD Express存儲(chǔ)卡應(yīng)用于超高分辨率的內(nèi)容存儲(chǔ),如攝影攝像設(shè)備、PC電腦、影視應(yīng)用及汽車存儲(chǔ)等,為用戶帶來(lái)更高性能的存儲(chǔ)體驗(yàn)。

因其結(jié)構(gòu)性優(yōu)勢(shì),SD Express存儲(chǔ)卡與目前市場(chǎng)上數(shù)十億的SD主機(jī)設(shè)備兼容,讓消費(fèi)者與SD Express存儲(chǔ)卡真正做到無(wú)縫銜接。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 11 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 27 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 49 S

下降時(shí)間: 2 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 2.4 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns

典型接通延遲時(shí)間: 2.3 ns

零件號(hào)別名: BSZ0506NS SP001281636

單位重量: 34.370 mg

VCSEL模塊

搭載了4個(gè)VCSEL,實(shí)現(xiàn)了行業(yè)頂級(jí)的20W輸出和高速響應(yīng),

最適合用于在寬闊檢測(cè)范圍內(nèi)進(jìn)行長(zhǎng)距離測(cè)量的工業(yè)設(shè)備等。

堆疊結(jié)構(gòu)VCSEL組件

新開(kāi)發(fā)的驅(qū)動(dòng)程序和VCSEL采用堆疊結(jié)構(gòu)使之小型化,實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的高速響應(yīng)和高輸出功率。

內(nèi)置保護(hù)電路(電流、電壓、溫度),最適合所有TOF方式。


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