VCSEL與專有的微透鏡陣列技術(shù)(MLA)制成的光漫射器
發(fā)布時(shí)間:2021/4/3 22:45:31 訪問次數(shù):855
TARA2000-AUT系列產(chǎn)品是由ams內(nèi)部設(shè)計(jì)制造的VCSEL與專有的微透鏡陣列技術(shù)(MLA)制成的光漫射器相結(jié)合而成,所有元件均集成到單個(gè)模塊中。
該照明器使用匹配的微光學(xué)元件來適應(yīng)VCSEL發(fā)射器的特性,可產(chǎn)生高功率均勻光束,邊緣到邊緣地照射在整個(gè)矩形區(qū)域上。
這種嚴(yán)格控制的照明輪廓和FOI與2D/3D系統(tǒng)中使用的紅外圖像傳感器的視角相匹配,提高了反射光信號(hào)的強(qiáng)度和完整性。
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:NOR閃存 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TFBGA-48 系列: 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流(最大值):10 mA 接口類型:Parallel 組織:2 M x 8/1 M x 16 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit/16 bit 定時(shí)類型:Asynchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 存儲(chǔ)類型:NOR 速度:70 ns 結(jié)構(gòu):Block Erase 商標(biāo):STMicroelectronics 電源電流—最大值:10 mA 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:NOR Flash 標(biāo)準(zhǔn):Common Flash Interface (CFI) 187 子類別:Memory & Data Storage
80 V RET(配電阻晶體管)系列。
這些新的RET或“數(shù)字晶體管”提供了足夠的余量,可用于48 V汽車板網(wǎng)(如輕度混合動(dòng)力和EV汽車)和其他更高電壓的電路,這些電路經(jīng)常受到較大的尖峰和脈沖影響,以前的50 V器件無法處理。
通過在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻,RET可以節(jié)省空間并降低制造成本。
器件具有100 mA的電流能力,并已獲得AEC-Q101認(rèn)證。
TARA2000-AUT系列產(chǎn)品是由ams內(nèi)部設(shè)計(jì)制造的VCSEL與專有的微透鏡陣列技術(shù)(MLA)制成的光漫射器相結(jié)合而成,所有元件均集成到單個(gè)模塊中。
該照明器使用匹配的微光學(xué)元件來適應(yīng)VCSEL發(fā)射器的特性,可產(chǎn)生高功率均勻光束,邊緣到邊緣地照射在整個(gè)矩形區(qū)域上。
這種嚴(yán)格控制的照明輪廓和FOI與2D/3D系統(tǒng)中使用的紅外圖像傳感器的視角相匹配,提高了反射光信號(hào)的強(qiáng)度和完整性。
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:NOR閃存 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TFBGA-48 系列: 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流(最大值):10 mA 接口類型:Parallel 組織:2 M x 8/1 M x 16 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit/16 bit 定時(shí)類型:Asynchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 存儲(chǔ)類型:NOR 速度:70 ns 結(jié)構(gòu):Block Erase 商標(biāo):STMicroelectronics 電源電流—最大值:10 mA 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:NOR Flash 標(biāo)準(zhǔn):Common Flash Interface (CFI) 187 子類別:Memory & Data Storage
80 V RET(配電阻晶體管)系列。
這些新的RET或“數(shù)字晶體管”提供了足夠的余量,可用于48 V汽車板網(wǎng)(如輕度混合動(dòng)力和EV汽車)和其他更高電壓的電路,這些電路經(jīng)常受到較大的尖峰和脈沖影響,以前的50 V器件無法處理。
通過在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻,RET可以節(jié)省空間并降低制造成本。
器件具有100 mA的電流能力,并已獲得AEC-Q101認(rèn)證。
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