引腳到引腳的兼容性以及既有軟件的100%重復(fù)使用率
發(fā)布時間:2021/4/3 23:58:45 訪問次數(shù):335
BQ79616-Q1具有強(qiáng)大的電磁兼容性(EMC),可承受混合動力和電動汽車所面臨的惡劣嘈雜環(huán)境,而不會影響菊花鏈通信的可靠性。
此外,該器件的引腳額定值使其能夠承受高壓瞬變和熱插拔操作,且集成了自動電池平衡功能,以簡化熱管理。
TI新型監(jiān)控器和平衡器系列在同一封裝中提供了多個通道選項(xiàng),提供了引腳到引腳的兼容性以及既有軟件的100%重復(fù)使用率。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.1 A, 3.2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 41 mOhms, 95 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V, 1 V
Qg-柵極電荷: 700 pC, 590 pC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
晶體管類型: 1 P-Channel, 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 4 S, 5.5 S
下降時間: 4.7 ns, 1.4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 2 ns, 3.7 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 11.3 ns, 12.2 ns
典型接通延遲時間: 7.4 ns, 4.9 ns
零件號別名: BSZ215C H SP001277210
單位重量: 32.540 mg
BQ79616-Q1集成了母線測量功能,使工程師能夠在各種大小的電池模塊的組合中更大限度地利用通道。
10mm x 10mm,64引腳耐熱增強(qiáng)型薄型四方扁平封裝(HTQFP)的16通道BQ79616-Q1芯片.
通過將BQ79616-Q1與BQ79600-Q1結(jié)合使用,工程師可在閉環(huán)配置中設(shè)計(jì)僅具有一個通信接口的電池管理系統(tǒng),以進(jìn)一步減少組件數(shù)量。
以16引腳薄型收縮小型封裝(TSSOP)的BQ79600-Q1,新型12通道和14通道電池監(jiān)控器和平衡器。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
BQ79616-Q1具有強(qiáng)大的電磁兼容性(EMC),可承受混合動力和電動汽車所面臨的惡劣嘈雜環(huán)境,而不會影響菊花鏈通信的可靠性。
此外,該器件的引腳額定值使其能夠承受高壓瞬變和熱插拔操作,且集成了自動電池平衡功能,以簡化熱管理。
TI新型監(jiān)控器和平衡器系列在同一封裝中提供了多個通道選項(xiàng),提供了引腳到引腳的兼容性以及既有軟件的100%重復(fù)使用率。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.1 A, 3.2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 41 mOhms, 95 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V, 1 V
Qg-柵極電荷: 700 pC, 590 pC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
晶體管類型: 1 P-Channel, 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 4 S, 5.5 S
下降時間: 4.7 ns, 1.4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 2 ns, 3.7 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 11.3 ns, 12.2 ns
典型接通延遲時間: 7.4 ns, 4.9 ns
零件號別名: BSZ215C H SP001277210
單位重量: 32.540 mg
BQ79616-Q1集成了母線測量功能,使工程師能夠在各種大小的電池模塊的組合中更大限度地利用通道。
10mm x 10mm,64引腳耐熱增強(qiáng)型薄型四方扁平封裝(HTQFP)的16通道BQ79616-Q1芯片.
通過將BQ79616-Q1與BQ79600-Q1結(jié)合使用,工程師可在閉環(huán)配置中設(shè)計(jì)僅具有一個通信接口的電池管理系統(tǒng),以進(jìn)一步減少組件數(shù)量。
以16引腳薄型收縮小型封裝(TSSOP)的BQ79600-Q1,新型12通道和14通道電池監(jiān)控器和平衡器。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
熱門點(diǎn)擊
- 4級安全的接觸放電8kV和空氣放電15kV射
- MAX25520雙路輸出功率集成電路電流傳輸
- 邏輯控制單元的16位eMIOS芯片邊緣環(huán)繞式
- 四象限硅PIN光電二極管K857PE輸出電流
- 鎖相環(huán)(PLL)和VCO窄帶通信系統(tǒng)的無線電
- 小型65W充電器縮小反激式變壓器的尺寸
- 濕度傳感LS6和LS6R系列直流隔離開關(guān)的主
- 通信模塊及TDK的CeraCharge低接觸
- BlueNRG-2N無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)處理器的定位數(shù)
- 紫外和紅外(IR)激光器混合2mil/50u
推薦技術(shù)資料
- MOSFET 電感單片降壓開關(guān)模式變換器優(yōu)勢
- SiC MOSFET 和 IG
- 新型 電隔離無芯線性霍爾效應(yīng)電
- 業(yè)界超小絕對位置編碼器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- 高帶寬、更高分辨率磁角度傳感技術(shù)應(yīng)用探究
- MagAlpha 角度位置傳感
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究