FA和機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的共計(jì)24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V和－60V耐壓單極型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。

此外，通過優(yōu)化元件結(jié)構(gòu)并采用有利于改善電場(chǎng)集中問題的新設(shè)計(jì)，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品品質(zhì)，并使普遍認(rèn)為相互矛盾的產(chǎn)品可靠性和低導(dǎo)通電阻兩者同時(shí)得到兼顧，從而有助于追求高品質(zhì)的工業(yè)設(shè)備長期穩(wěn)定運(yùn)行。

制造商:Power Integrations 產(chǎn)品種類:交流/直流轉(zhuǎn)換器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:eSOP-12B 輸出電壓:85 V to 265 V 輸出功率:11 W 輸入/電源電壓—最小值:85 V 輸入/電源電壓—最大值:265 V 占空比 - 最大:67 % 工作電源電流:400 uA 封裝:Tube 輸出端數(shù)量:1 Output 類型:Off Line Converter 商標(biāo):Power Integrations 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:AC/DC Converters 工廠包裝數(shù)量48 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:2 g

通過向柵極施加相對(duì)于源極為負(fù)的電壓而導(dǎo)通的MOSFET�？捎帽鹊陀谳斎腚妷旱偷碾妷候�(qū)動(dòng)，因此電路結(jié)構(gòu)較為簡單。通過向柵極施加相對(duì)于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏源間的導(dǎo)通電阻更小，因此可減少常規(guī)損耗。

使MOSFET啟動(dòng)（ON）時(shí)漏極與源極之間的電阻值。該值越小，則運(yùn)行時(shí)的損耗（電力損耗）越少。

溝槽（Trench）意為凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其側(cè)壁形成MOSFET柵極的結(jié)構(gòu)。不存在平面型MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在的JFET電阻，比平面結(jié)構(gòu)更容易實(shí)現(xiàn)微細(xì)化。