這些采用嚴(yán)格設(shè)計(jì)流程開(kāi)發(fā)出的裝置已通過(guò)ISO 26262 ASIL-B認(rèn)證,根據(jù)ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行安全分析。

Diodes 采用先進(jìn)的斬波器穩(wěn)定設(shè)計(jì)，在 2.7V 至 27V 的操作電壓及 -40˚C 至 +150˚C 的溫度范圍內(nèi)，磁性操作點(diǎn)與釋放點(diǎn) (BOP/BRP) 具有絕佳的穩(wěn)定性。

這種穩(wěn)定性，加上 8kV 的高 ESD 額定值、內(nèi)建反向阻斷二極管和電源引腳齊納箝位，使得 AH32xxQ 系列能夠滿足汽車近接/位置感測(cè)產(chǎn)品應(yīng)用的嚴(yán)苛要求。

所有 AH32xxQ 裝置皆采用 SC59 封裝。符合 AEC-Q100 等級(jí)規(guī)范，由 IATF 16949 認(rèn)證的設(shè)施制造，并支持 PPAP 文件。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:1.4 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:250 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:3.2 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:625 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 長(zhǎng)度:3.04 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel 類型:MOSFET 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:2.3 S 下降時(shí)間:2 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:1.4 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:4.9 ns 典型接通延遲時(shí)間:1.8 ns 單位重量:8 mg

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）和集成電路具備快速開(kāi)關(guān)、小尺寸和低成本等優(yōu)勢(shì)，以滿足前沿計(jì)算應(yīng)用對(duì)功率密度的嚴(yán)格要求。

EPC9151是很好的范例，它展示如何利用集成功率級(jí)EPC2152，滿足計(jì)算應(yīng)用中48 V轉(zhuǎn)換所要求的提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。

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