技術(shù)已通過十億個(gè)雪崩周期測(cè)試，可用于汽車感性負(fù)載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關(guān)斷時(shí)間（高達(dá)4倍）外，該技術(shù)還能通過減少BOM數(shù)量簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

在汽車動(dòng)力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動(dòng)鉗位拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行構(gòu)建。

Nexperia汽車重復(fù)雪崩ASFET產(chǎn)品系列專為解決此問題而開發(fā)，能夠提供經(jīng)過十億個(gè)周期測(cè)試的可靠重復(fù)雪崩功能。  

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:650 V Id-連續(xù)漏極電流:68.5 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:37 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V Qg-柵極電荷:300 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:500 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 高度:21.1 mm 長(zhǎng)度:16.13 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.21 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 下降時(shí)間:8 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:28 ns 工廠包裝數(shù)量240 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:127 ns 典型接通延遲時(shí)間:34 ns 零件號(hào)別名:IPW65R41CFDXK SP000756288 IPW65R041CFDFKSA1 單位重量:38 g

這種額外的處理能力現(xiàn)在將使耳塞制造商能夠提供自適應(yīng)主動(dòng)降噪和支持使用喚醒詞來主動(dòng)Alexa或谷歌助理等功能。

新的芯片組現(xiàn)在還支持高通的aptX Adaptive，音頻分辨率高達(dá)96kHz，支持aptX Voice，用于3個(gè)麥克風(fēng)的回聲消除和噪音抑制，以便在用戶在旅途中實(shí)現(xiàn)更清晰的通話。

盡管功率增加了，但高通也承諾可以提供全天的電池續(xù)航時(shí)間，不過，最后還是要看各個(gè)廠商如何對(duì)自己的設(shè)備進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）