集成式有源EMI濾波器(AEF)和雙隨機(jī)展頻(DRSS)技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2021/4/7 18:50:12 訪問次數(shù):1152
LM25149-Q1和LM25149降壓控制器可通過降低多個(gè)頻帶上的傳導(dǎo)EMI來幫助工程師滿足這些要求。
集成式有源EMI濾波器有助于檢測并降低150 kHz至10 MHz低頻頻帶上的傳導(dǎo)EMI,從而使工程師能夠?qū)MI減少高達(dá)50 dBμV(在440 kHz的開關(guān)頻率下,相對(duì)于禁用AEF的設(shè)計(jì))或20 dBμV(相對(duì)于采用典型無源濾波器的設(shè)計(jì))。
為了進(jìn)一步降低EMI,這兩款降壓控制器的工作頻率均與外部時(shí)鐘同步,從而幫助工程師在EMI敏感型應(yīng)用中降低不良拍頻。
制造商:Rectron 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:65 V 集電極—基極電壓 VCBO:80 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:0.65 V 最大直流電集電極電流:100 mA Pd-功率耗散:250 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:250 技術(shù):Si 商標(biāo):Rectron 集電極連續(xù)電流:100 mA 直流集電極/Base Gain hfe Min:125 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors
全新的同步直流/直流降壓控制器系列,此類器件支持工程師縮減電源解決方案的尺寸并降低其電磁干擾(EMI)。
LM25149-Q1和LM25149采用集成式有源EMI濾波器(AEF)和雙隨機(jī)展頻(DRSS)技術(shù),使工程師能夠?qū)⑼獠縀MI濾波器的面積減半。
其控制器包括振蕩器,反饋(檢測和邏輯)電路,5.0V穩(wěn)壓器,BYPASS引腳欠壓電路,超溫保護(hù),線路和輸出過電壓保護(hù),頻率抖動(dòng),限流電路,前沿消隱和高壓功率MOSFET.器件還集成了其它電路用來自動(dòng)重起.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
LM25149-Q1和LM25149降壓控制器可通過降低多個(gè)頻帶上的傳導(dǎo)EMI來幫助工程師滿足這些要求。
集成式有源EMI濾波器有助于檢測并降低150 kHz至10 MHz低頻頻帶上的傳導(dǎo)EMI,從而使工程師能夠?qū)MI減少高達(dá)50 dBμV(在440 kHz的開關(guān)頻率下,相對(duì)于禁用AEF的設(shè)計(jì))或20 dBμV(相對(duì)于采用典型無源濾波器的設(shè)計(jì))。
為了進(jìn)一步降低EMI,這兩款降壓控制器的工作頻率均與外部時(shí)鐘同步,從而幫助工程師在EMI敏感型應(yīng)用中降低不良拍頻。
制造商:Rectron 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:65 V 集電極—基極電壓 VCBO:80 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:0.65 V 最大直流電集電極電流:100 mA Pd-功率耗散:250 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:250 技術(shù):Si 商標(biāo):Rectron 集電極連續(xù)電流:100 mA 直流集電極/Base Gain hfe Min:125 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors
全新的同步直流/直流降壓控制器系列,此類器件支持工程師縮減電源解決方案的尺寸并降低其電磁干擾(EMI)。
LM25149-Q1和LM25149采用集成式有源EMI濾波器(AEF)和雙隨機(jī)展頻(DRSS)技術(shù),使工程師能夠?qū)⑼獠縀MI濾波器的面積減半。
其控制器包括振蕩器,反饋(檢測和邏輯)電路,5.0V穩(wěn)壓器,BYPASS引腳欠壓電路,超溫保護(hù),線路和輸出過電壓保護(hù),頻率抖動(dòng),限流電路,前沿消隱和高壓功率MOSFET.器件還集成了其它電路用來自動(dòng)重起.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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