系統(tǒng)控制和通信控制開發(fā)雙向功率流動(dòng)和軟開關(guān)特性

發(fā)布時(shí)間:2021/4/7 23:01:05 訪問(wèn)次數(shù):212

1200VIMZ120R030M1H和1700V CoolSiC™ MOSFET1EDC20I12AH,具有雙向功率流動(dòng)和軟開關(guān)特性,非常適合用于電動(dòng)汽車車載和離車充電以及能量存儲(chǔ)系統(tǒng)(ESS)應(yīng)用.

參考設(shè)計(jì)提供了完整和全特性硬件和固件解決方案以及用戶友好的圖像用戶接口(GUI).

參考設(shè)計(jì)包涵了CoolSiC™ MOSFET和集成的Infineon驅(qū)動(dòng)器集成電路,XMC控制器,反激控制器,電壓穩(wěn)壓器MOSFET,電流傳感器,Cypress存儲(chǔ)器以及安全芯片.

外形尺寸為33.1 mm x 13.4 mm x 6 mm,功率密度為4.1 W/cm3 (5.5 W/g).

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 24 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 35 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 24 S

下降時(shí)間: 2.8 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 2.4 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 16 ns

典型接通延遲時(shí)間: 3.5 ns

零件號(hào)別名: BSZ097N04LS G SP000388296

單位重量: 151 mg

新型RX23W模塊采用與RX MCU相同的軟件開發(fā)環(huán)境，開發(fā)人員可同時(shí)進(jìn)行系統(tǒng)控制和通信控制開發(fā)。

Smart Configurator幫助開發(fā)人員利用GUI生成用于外設(shè)功能和藍(lán)牙驅(qū)動(dòng)代碼，并配置引腳設(shè)置。QE for BLE則可幫助開發(fā)人員生成用于自定義藍(lán)牙配置文件的程序。

藍(lán)牙測(cè)試工具套件提供GUI，允許開發(fā)人員執(zhí)行初始無(wú)線特性評(píng)估和藍(lán)牙功能驗(yàn)證。

這些工具適用于開發(fā)過(guò)程中各個(gè)環(huán)節(jié)，為開發(fā)人員帶來(lái)從初始階段到應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)全面支持，顯著提高開發(fā)效率。

(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）