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可編程增益放大器(PGA)支持差分輸入模式及單端輸入信號

發(fā)布時間:2021/4/9 23:24:19 訪問次數(shù):1279

單一輸入時鐘控制轉(zhuǎn)換,提供輸出使能引腳,允許幾個器件共用一條總線。低的平均功耗以及降功耗模式,能使器件滿足以電池為電源的功率要求。

WM2130和WM2140的封裝為28引腳的TSSOP,商用的溫度范圍為0°C到70°C,工業(yè)用的溫度范圍為-40°C到85°C。

可編程增益放大器(PGA)支持差分輸入模式以及單端輸入信號如合成視圖的第三種模式,其最大電壓為1V和2V。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 49 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 10 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 26 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 34 S

下降時間: 2.4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 3.4 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 12 ns

典型接通延遲時間: 2.5 ns

零件號別名: SP000799084 BSZ65N3LSXT BSZ065N03LSATMA1

單位重量: 100 mg

CCM的主要特征是總是硬開關(guān),電感值最大,電流有效值最小,在較高功率(>300 W)應(yīng)用中特別受到青睞,典型解決方案如安森美半導(dǎo)體NCP1654.

FCCrM的主要特征是電流有效值大,頻率被限制,線圈電感較小,在中等功率條件下具有極高能效,典型解決方案如安森美半導(dǎo)體NCP1605。

CrM的的主要特征是電流有效值(RMS)大,開關(guān)頻率不固定,常用于需要簡單控制方案的照明和交流適配器等低功率應(yīng)用,典型解決方案如安森美半導(dǎo)體NCP1606.


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

單一輸入時鐘控制轉(zhuǎn)換,提供輸出使能引腳,允許幾個器件共用一條總線。低的平均功耗以及降功耗模式,能使器件滿足以電池為電源的功率要求。

WM2130和WM2140的封裝為28引腳的TSSOP,商用的溫度范圍為0°C到70°C,工業(yè)用的溫度范圍為-40°C到85°C。

可編程增益放大器(PGA)支持差分輸入模式以及單端輸入信號如合成視圖的第三種模式,其最大電壓為1V和2V。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 49 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 10 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 26 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 34 S

下降時間: 2.4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 3.4 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 12 ns

典型接通延遲時間: 2.5 ns

零件號別名: SP000799084 BSZ65N3LSXT BSZ065N03LSATMA1

單位重量: 100 mg

CCM的主要特征是總是硬開關(guān),電感值最大,電流有效值最小,在較高功率(>300 W)應(yīng)用中特別受到青睞,典型解決方案如安森美半導(dǎo)體NCP1654.

FCCrM的主要特征是電流有效值大,頻率被限制,線圈電感較小,在中等功率條件下具有極高能效,典型解決方案如安森美半導(dǎo)體NCP1605。

CrM的的主要特征是電流有效值(RMS)大,開關(guān)頻率不固定,常用于需要簡單控制方案的照明和交流適配器等低功率應(yīng)用,典型解決方案如安森美半導(dǎo)體NCP1606.


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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