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雙N溝和雙P溝的20V MOSFET在計算機/EDP通信

發(fā)布時間:2021/4/11 18:18:27 訪問次數(shù):337

四種器件FDZ2551N, FDZ2553N, FDZ2552P 和FDZ2554P都封在4x2.5mm表面安裝的OSFET BGA封裝，其漏極是共用的。

BGA封裝具有小的占位面積(10平方mm),很小的體積(最大安裝高度0.8mm)，極好的導通電阻和杰出的熱性能，這進一步又減少散熱片的尺寸。

這種雙N溝和雙P溝的20V MOSFET還可用在計算機/EDP，通信，手提，工業(yè)設備和無線通信產(chǎn)品如手機，PDA，MP3播放器和手提POS終端。

這種先進的無底封裝有以下的優(yōu)點：

由于降低了芯片溫度，可靠性和效率都更好

由于更低封裝熱阻，效率更高

每PCB面積有更高的電流能力

由于更低的封裝電感和更低的柵電阻，降低開關(guān)時間

標準的SO-8封裝，占位和出腳都兼容。

TLV320AIC3254是低壓低功耗立體聲音頻CODEC器件,具有可編程的輸入和輸出.

 TLV320AIC3254集成了PowerTune功能,全編程的miniDSP,固定的預定夷和參數(shù)化信號處理區(qū)塊,PLL,LDO和靈活的數(shù)字接口. 

TLV320AIC3254中的立體聲音頻DAC具有100dB的SNR, 4.1mW 立體聲 48ksps DAC,立體聲音頻ADC具有93dB SNR和6.1mW 立體聲 48ksps ADC 錄音.

可廣泛用于手提導航系統(tǒng)(PND),PMP,手機,通信和手提計算,回聲消除(AEC)和噪音消除及高檔DSP算法.


(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）


四種器件FDZ2551N, FDZ2553N, FDZ2552P 和FDZ2554P都封在4x2.5mm表面安裝的OSFET BGA封裝，其漏極是共用的。

BGA封裝具有小的占位面積(10平方mm),很小的體積(最大安裝高度0.8mm)，極好的導通電阻和杰出的熱性能，這進一步又減少散熱片的尺寸。

這種雙N溝和雙P溝的20V MOSFET還可用在計算機/EDP，通信，手提，工業(yè)設備和無線通信產(chǎn)品如手機，PDA，MP3播放器和手提POS終端。

這種先進的無底封裝有以下的優(yōu)點：

由于降低了芯片溫度，可靠性和效率都更好

由于更低封裝熱阻，效率更高

每PCB面積有更高的電流能力

由于更低的封裝電感和更低的柵電阻，降低開關(guān)時間

標準的SO-8封裝，占位和出腳都兼容。

TLV320AIC3254是低壓低功耗立體聲音頻CODEC器件,具有可編程的輸入和輸出.

 TLV320AIC3254集成了PowerTune功能,全編程的miniDSP,固定的預定夷和參數(shù)化信號處理區(qū)塊,PLL,LDO和靈活的數(shù)字接口. 

TLV320AIC3254中的立體聲音頻DAC具有100dB的SNR, 4.1mW 立體聲 48ksps DAC,立體聲音頻ADC具有93dB SNR和6.1mW 立體聲 48ksps ADC 錄音.

可廣泛用于手提導航系統(tǒng)(PND),PMP,手機,通信和手提計算,回聲消除(AEC)和噪音消除及高檔DSP算法.


(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）


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