10Gbps速率的和各種系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)如OC-192/STM-64 SONET/SDH, Quad OC-48/STM-16 10 Gbps以太網(wǎng)和10 Gbps OTN的線路接口。

嵌入帶可編M/N乘法器/除法器的PLL在線路側(cè)和系統(tǒng)側(cè)之間提供靈活的數(shù)據(jù)速率轉(zhuǎn)換。

這款芯片只需采用兩個(gè)電源，一個(gè)為核心與模擬系統(tǒng)提供 1.8 伏 ，而另一個(gè)則為模擬系統(tǒng)與輸入/輸出提供 2.5 伏。

線路側(cè)提供多線路頻率的16位LVDS數(shù)據(jù)，支持高達(dá)667MHz的頻率，它取決于系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    PG-TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    149 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    2 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    44 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   70 S  

下降時(shí)間:   4.6 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   6.8 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   28 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   5.4 ns  

零件號(hào)別名:  SP000792362 BSZ19N3LSXT BSZ019N03LSATMA1  

單位重量:  100 mg

GigPHYTER V 芯片最適用于 10/100/1000 Mbps 的以太網(wǎng)局域網(wǎng) (LAN)。

這款芯片可通過外部變壓器直接與雙絞線媒體連接，也可通過 IEEE 802.3u 標(biāo)準(zhǔn)媒體獨(dú)立接口 (MII) 及 IEEE 802.3z 千兆位 GMII 直接與媒體存取控制器 (MAC) 連接。

電纜長度可超過 IEEE 的規(guī)定，以便質(zhì)素較差的網(wǎng)絡(luò)電纜有較大的承受能力及較大的空間可以發(fā)揮更高的性能。

國家半導(dǎo)體今后推出的新一代千兆位以太網(wǎng)物理層芯片將全部采用 GigPHYTER V 的這種設(shè)計(jì)。

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