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SRAM的高性能無阻塞128X128 I/O開關矩陣

發(fā)布時間:2021/4/13 8:52:39 訪問次數(shù):374

交叉開關OCX256,它被Chyron公司的Pro-Bel部門用在它們的天狼星路由器創(chuàng)新系列。

OXC256是基于SRAM的高性能無阻塞128X128 I/O開關矩陣,每端口傳輸667Mbps數(shù)據(jù)帶寬。這種CMOS器件有高端口數(shù),低功耗,快速配置,以實現(xiàn)先進的交換解決方案。

對于高帶寬的應用,特殊廣播模式以最大數(shù)據(jù)速率把單一輸入連接到多個輸出,而RapidConfigureTM并行接口使開關連接快速形成。

OCX256能立即在任一輸入端和輸出端發(fā)送寬帶視頻和音頻信號,而不用外接轉換設備。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    250 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    10.9 A    

Rds On-漏源導通電阻:    146 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    11.4 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    62.5 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   7 S  

下降時間:   4 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   4 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   11 ns  

典型接通延遲時間:   6 ns  

零件號別名:  BSZ16DN25NS3 G SP000781800  

單位重量:  36.110 mg  

這款功能齊備的 GigPHYTER V 單通道以太網(wǎng)物理層芯片可支持 10BASE-T、100BASE-TX 及 1000BASE-T 等以太網(wǎng)協(xié)議,確保目前的快速以太網(wǎng)應用方案可在符合成本效益的基礎上輕易升級。

GigPHYTER V 芯片采用創(chuàng)新的設計,使管芯體積可以大幅縮小,遠比采用傳統(tǒng)架構的物理層芯片為小。

GigPHYTER V 芯片具有模擬前端處理能力,因此芯片所需的數(shù)據(jù)總線帶寬便可以大幅減少,而另一方面其動態(tài)范圍又可大幅擴大,有助精簡數(shù)字信號處理器的設計以及縮小其體積。

GigPHYTER V芯片在典型的操作情況下只需1.1W的功耗,因此無需采用具有較高導熱能力的昂貴封裝。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)


交叉開關OCX256,它被Chyron公司的Pro-Bel部門用在它們的天狼星路由器創(chuàng)新系列。

OXC256是基于SRAM的高性能無阻塞128X128 I/O開關矩陣,每端口傳輸667Mbps數(shù)據(jù)帶寬。這種CMOS器件有高端口數(shù),低功耗,快速配置,以實現(xiàn)先進的交換解決方案。

對于高帶寬的應用,特殊廣播模式以最大數(shù)據(jù)速率把單一輸入連接到多個輸出,而RapidConfigureTM并行接口使開關連接快速形成。

OCX256能立即在任一輸入端和輸出端發(fā)送寬帶視頻和音頻信號,而不用外接轉換設備。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    250 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    10.9 A    

Rds On-漏源導通電阻:    146 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    11.4 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    62.5 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   7 S  

下降時間:   4 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   4 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   11 ns  

典型接通延遲時間:   6 ns  

零件號別名:  BSZ16DN25NS3 G SP000781800  

單位重量:  36.110 mg  

這款功能齊備的 GigPHYTER V 單通道以太網(wǎng)物理層芯片可支持 10BASE-T、100BASE-TX 及 1000BASE-T 等以太網(wǎng)協(xié)議,確保目前的快速以太網(wǎng)應用方案可在符合成本效益的基礎上輕易升級。

GigPHYTER V 芯片采用創(chuàng)新的設計,使管芯體積可以大幅縮小,遠比采用傳統(tǒng)架構的物理層芯片為小。

GigPHYTER V 芯片具有模擬前端處理能力,因此芯片所需的數(shù)據(jù)總線帶寬便可以大幅減少,而另一方面其動態(tài)范圍又可大幅擴大,有助精簡數(shù)字信號處理器的設計以及縮小其體積。

GigPHYTER V芯片在典型的操作情況下只需1.1W的功耗,因此無需采用具有較高導熱能力的昂貴封裝。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)


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