每通道有8位效準(zhǔn)DAC省去制造過程中用來效準(zhǔn)外接電位計(jì)
發(fā)布時間:2023/6/23 22:24:40 訪問次數(shù):102
UBA2021是高壓集成電路,能控制和驅(qū)動CFL熒光燈,包括有用來驅(qū)動外接半橋電路的驅(qū)動電路,振蕩器和用來起動,預(yù)熱, 輝弧和保護(hù)等功能.而采用UBA2021的13W CFL電子鎮(zhèn)流器采用半橋式逆變器作為燈驅(qū)動電路,逆變器的正常輸入電壓為230 V (RMS) ± 15 %, 50 Hz / 60 Hz.
因此,單盤片的存儲密度從4.7GB增加到27GB。27GB藍(lán)光盤格式目標(biāo)應(yīng)用在PC檔案數(shù)據(jù)存儲超密度光學(xué)(UDO)驅(qū)動和消費(fèi)類數(shù)字視頻錄像機(jī)(DVR),能在120mm的DVD/CD盤片上記錄高達(dá)兩小時的高清晰度電視(HDTV)。
半橋逆變電路的電子鎮(zhèn)流器中,脈沖變壓器一般均采用環(huán)形磁心制作的變壓器,為能產(chǎn)生良好的振蕩波形,脈沖變壓器就需要選取磁滯曲線更接近矩形的材質(zhì),從而使變壓器在工作時可以在很快的進(jìn)入與退出飽和狀態(tài)。
福建芯鴻科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 98 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V
Qg-柵極電荷: 27 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 5
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S
下降時間: 6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 19 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
零件號別名: SP000917418 BSZ42N6NSXT BSZ042N06NSATMA1
單位重量: 100 mg

EL6900C有突出的性能和節(jié)省成本的優(yōu)點(diǎn)。因?yàn)樗袃赏ǖ廊颖3址糯笃,在寄存器的控制下能編成四個單獨(dú)的增益,所以提供了片上的實(shí)時功率控制。
生產(chǎn)時間和制造成本進(jìn)一步降低,因?yàn)槊客ǖ烙?位的效準(zhǔn)DAC,省去了在制造過程中用來效準(zhǔn)的外接電位計(jì)。
因?yàn)榇判牡腂-H決定了磁環(huán)進(jìn)入與退出飽和狀態(tài)的時間,所以,脈沖變壓器磁心與初級繞組的圈數(shù)及初級繞組的電壓對半橋逆變電路的工作頻率有著決定性的影響。
每一通道的210MHz時鐘速度能達(dá)到3X藍(lán)光盤寫入性能。閉環(huán)自動功率控制(APC)由EL6900C的Islope 和IAPC輸入實(shí)現(xiàn)。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
UBA2021是高壓集成電路,能控制和驅(qū)動CFL熒光燈,包括有用來驅(qū)動外接半橋電路的驅(qū)動電路,振蕩器和用來起動,預(yù)熱, 輝弧和保護(hù)等功能.而采用UBA2021的13W CFL電子鎮(zhèn)流器采用半橋式逆變器作為燈驅(qū)動電路,逆變器的正常輸入電壓為230 V (RMS) ± 15 %, 50 Hz / 60 Hz.
因此,單盤片的存儲密度從4.7GB增加到27GB。27GB藍(lán)光盤格式目標(biāo)應(yīng)用在PC檔案數(shù)據(jù)存儲超密度光學(xué)(UDO)驅(qū)動和消費(fèi)類數(shù)字視頻錄像機(jī)(DVR),能在120mm的DVD/CD盤片上記錄高達(dá)兩小時的高清晰度電視(HDTV)。
半橋逆變電路的電子鎮(zhèn)流器中,脈沖變壓器一般均采用環(huán)形磁心制作的變壓器,為能產(chǎn)生良好的振蕩波形,脈沖變壓器就需要選取磁滯曲線更接近矩形的材質(zhì),從而使變壓器在工作時可以在很快的進(jìn)入與退出飽和狀態(tài)。
福建芯鴻科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 98 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V
Qg-柵極電荷: 27 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 5
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S
下降時間: 6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 19 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
零件號別名: SP000917418 BSZ42N6NSXT BSZ042N06NSATMA1
單位重量: 100 mg

EL6900C有突出的性能和節(jié)省成本的優(yōu)點(diǎn)。因?yàn)樗袃赏ǖ廊颖3址糯笃,在寄存器的控制下能編成四個單獨(dú)的增益,所以提供了片上的實(shí)時功率控制。
生產(chǎn)時間和制造成本進(jìn)一步降低,因?yàn)槊客ǖ烙?位的效準(zhǔn)DAC,省去了在制造過程中用來效準(zhǔn)的外接電位計(jì)。
因?yàn)榇判牡腂-H決定了磁環(huán)進(jìn)入與退出飽和狀態(tài)的時間,所以,脈沖變壓器磁心與初級繞組的圈數(shù)及初級繞組的電壓對半橋逆變電路的工作頻率有著決定性的影響。
每一通道的210MHz時鐘速度能達(dá)到3X藍(lán)光盤寫入性能。閉環(huán)自動功率控制(APC)由EL6900C的Islope 和IAPC輸入實(shí)現(xiàn)。
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