EL6900C可編程激光驅(qū)動器的創(chuàng)新結構，把藍激光盤標準寫入策略波形集成到它的高速波形發(fā)生器。

這就不需要驅(qū)動高速時序信號。這些信號都是數(shù)字編程的，在內(nèi)部轉(zhuǎn)變成模擬輸出，驅(qū)動激光器，導致時間和幅度噪音大大地減少。

此外，多級編程增加了寫入操作的保真度，使這種結構能突破現(xiàn)有的并行結構激光二極管驅(qū)動器的性能極限和設計問題。EL6900C集成了簡化閉環(huán)自動功率控制設計所需的主要功能。這是一種重大突破，將會增加寫入性能，靈活性和降低系統(tǒng)成本。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TISON-8    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    Reel    

高度:   1.15 mm  

長度:   6 mm  

寬度:   5 mm  

商標:   Infineon Technologies  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

零件號別名:  BSG0812ND SP001164324

全特性的調(diào)光鎮(zhèn)流器控制和半橋驅(qū)動器,可以實現(xiàn)簡單的單片高性能調(diào)光鎮(zhèn)流器解決方案.它采用閉環(huán)燈絲電流調(diào)光控制,內(nèi)部具有非ZVS保護和峰值因子保護,預熱時間可編程.

新型同步充跳式PWM和線性低壓降(LDO)在一起的控制器ISL6226，降低了元件數(shù)目，節(jié)省了板的空間和業(yè)界最低的元件清單。

5V到24V的工作電壓使這種雙控制器成為電源芯片組，存儲器，手提和固定設備中音頻和圖像的理想選擇。

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