BCM3360高性能寬帶網(wǎng)關(guān)調(diào)制解調(diào)器驅(qū)動(dòng)電纜的ISI

發(fā)布時(shí)間:2021/4/13 21:36:05 訪問(wèn)次數(shù):401

芯片包括BCM4500先進(jìn)調(diào)制的數(shù)字衛(wèi)星接收器，BCM3440 CMOS數(shù)字衛(wèi)星調(diào)諧器/接收器和BCM3360高性能寬帶網(wǎng)關(guān)調(diào)制解調(diào)器。

BCM4500和BCM3440一起構(gòu)成了消費(fèi)類衛(wèi)星服務(wù)的高度集成的高性能芯片組。BCM4500比今天所用的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字視頻廣播衛(wèi)星(DVB-S)發(fā)射系統(tǒng)的帶寬改善了50%。

高性能BCM3360是Broadcom專門技術(shù)在開發(fā)低成本的芯片的突出樣品，它可用在寬帶調(diào)制解調(diào)器，家庭網(wǎng)絡(luò)和安全應(yīng)用。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 113 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 56 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3M

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 47 S

下降時(shí)間: 4.8 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 5.8 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 38 ns

典型接通延遲時(shí)間: 10 ns

零件號(hào)別名: SP000311511 BSZ35N3MSGXT BSZ035N03MSGATMA1

單位重量: 38.760 mg

DS25C400具有低輸出低抖動(dòng)，高抖動(dòng)誤差和預(yù)設(shè)置的均衡性，使設(shè)備制造者能把2.5Gbps安置在現(xiàn)存的原來(lái)設(shè)計(jì)為622Mbps的較低速度的背板，從而提高四倍帶寬而不用重新設(shè)計(jì)機(jī)箱。

現(xiàn)在設(shè)備供應(yīng)商通過(guò)提供更快的附加卡給他們的客戶，增加帶寬，而不是強(qiáng)迫客戶丟掉老設(shè)備去買全新的。現(xiàn)在的背板和線纜帶寬局限性會(huì)產(chǎn)生大量的系統(tǒng)內(nèi)干擾(ISI)失真，除非采用昂貴的材料和連接器。DS25C400可配置的預(yù)設(shè)置的發(fā)射機(jī)能補(bǔ)償長(zhǎng)達(dá)10-20米驅(qū)動(dòng)電纜的ISI。

在接收端，設(shè)備的可配置的均衡和嚴(yán)格的閾值使它可靠地接收到數(shù)據(jù)，即使有嚴(yán)重的ISI失真。

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