Smart Configurator幫助開發(fā)人員利用GUI生成用于外設(shè)功能和藍(lán)牙驅(qū)動(dòng)代碼，并配置引腳設(shè)置。

QE for BLE則可幫助開發(fā)人員生成用于自定義藍(lán)牙配置文件的程序。藍(lán)牙測試工具套件提供GUI，允許開發(fā)人員執(zhí)行初始無線特性評估和藍(lán)牙功能驗(yàn)證。

這些工具適用于開發(fā)過程中各個(gè)環(huán)節(jié)，為開發(fā)人員帶來從初始階段到應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)全面支持，顯著提高開發(fā)效率。

RX23W模塊可與瑞薩模擬和電源產(chǎn)品相結(jié)合，開發(fā)適用于各類應(yīng)用的全面解決方案。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

20A（Ta），40A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）

3.5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.1W（Ta），69W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

PG-TSDSON-8

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓（Vdss）

30V

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）

56nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）

4400pF @ 15V

基本產(chǎn)品編號

BSZ035

RAJ306001和RAJ306010是單封裝電機(jī)控制IC，可控制廣泛應(yīng)用于各類電池供電設(shè)備中的三相BLDC電機(jī)。全新IC將RL78/G1F微控制器（MCU）和前置驅(qū)動(dòng)器集成至8mmx8mmQFN封裝中。

考慮到熱量管理，全新IC具備自校準(zhǔn)死區(qū)時(shí)間（SADT）以防止直通擊穿，提供可調(diào)節(jié)前置驅(qū)動(dòng)器輸出電流容量（高達(dá)500mA）以驅(qū)動(dòng)大容量MOSFET，從而使散熱設(shè)計(jì)更簡單。

這使得IC可在最佳開關(guān)時(shí)序驅(qū)動(dòng)MOSFET——與傳統(tǒng)系統(tǒng)相比，將FET開關(guān)裕量時(shí)間縮短至約1/10，減少發(fā)熱，從而實(shí)現(xiàn)高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。

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