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Starling 3251C連接直流(DC)或交流(AC)電源擴展器設(shè)備供電

發(fā)布時間:2021/4/17 13:26:00 訪問次數(shù):299

USB 3-2-1 Starling 3251C擴展器。作為業(yè)界首款完備的總線供電USB 3-2-1阻燃級擴展器,Starling 3251C無需連接直流(DC)或交流(AC)電源為擴展器或下游設(shè)備供電。

作為小尺寸、單電纜解決方案,Starling 3251C在降低復雜度和安裝成本的同時,也提供真正的即插即用能力。

與有源光纖方案相比,這種電纜的可靠性更高,包括用于管道布線的電纜拉眼工具。3251C提供CM和阻燃級型號,允許穿過阻燃空間布線。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V

Id-連續(xù)漏極電流: 10.9 A

Rds On-漏源導通電阻: 146 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 11.4 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 62.5 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 7 S

下降時間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 4 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 11 ns

典型接通延遲時間: 6 ns

零件號別名: SP000781800 BSZ16DN25NS3GXT BSZ16DN25NS3GATMA1

單位重量: 100 mg

“S-5701 B系列”表面貼裝隧道磁阻(TMR)傳感器IC,這款磁傳感器IC具有超低電流消耗、高磁靈敏度、長壽命的特點,工作電流消耗僅為160nA。

“S-5701 B系列”是一種TMR傳感器IC。

與各向異性磁阻(AMR)或巨磁阻(GMR)傳感器IC等其他MR傳感器IC不同,它具有高靈敏度和超低電流消耗(160nA)的 特點,使其成為一款解決傳統(tǒng)磁簧開關(guān)局限性的創(chuàng)新產(chǎn)品。

容易破碎作為樹脂成型品,具有更強的抗振動和抗沖擊能力需要更多焊接工作可與其他組件一起焊接.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

USB 3-2-1 Starling 3251C擴展器。作為業(yè)界首款完備的總線供電USB 3-2-1阻燃級擴展器,Starling 3251C無需連接直流(DC)或交流(AC)電源為擴展器或下游設(shè)備供電。

作為小尺寸、單電纜解決方案,Starling 3251C在降低復雜度和安裝成本的同時,也提供真正的即插即用能力。

與有源光纖方案相比,這種電纜的可靠性更高,包括用于管道布線的電纜拉眼工具。3251C提供CM和阻燃級型號,允許穿過阻燃空間布線。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V

Id-連續(xù)漏極電流: 10.9 A

Rds On-漏源導通電阻: 146 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 11.4 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 62.5 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 7 S

下降時間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 4 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 11 ns

典型接通延遲時間: 6 ns

零件號別名: SP000781800 BSZ16DN25NS3GXT BSZ16DN25NS3GATMA1

單位重量: 100 mg

“S-5701 B系列”表面貼裝隧道磁阻(TMR)傳感器IC,這款磁傳感器IC具有超低電流消耗、高磁靈敏度、長壽命的特點,工作電流消耗僅為160nA。

“S-5701 B系列”是一種TMR傳感器IC。

與各向異性磁阻(AMR)或巨磁阻(GMR)傳感器IC等其他MR傳感器IC不同,它具有高靈敏度和超低電流消耗(160nA)的 特點,使其成為一款解決傳統(tǒng)磁簧開關(guān)局限性的創(chuàng)新產(chǎn)品。

容易破碎作為樹脂成型品,具有更強的抗振動和抗沖擊能力需要更多焊接工作可與其他組件一起焊接.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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