UMT-H為能源、數(shù)據(jù)、醫(yī)療、工業(yè)控制和汽車等行業(yè)的諸多應(yīng)用提供了一個(gè)綜合性的理想解決方案。該系列產(chǎn)品也不滲透保形涂料，所以非常適合應(yīng)用于危險(xiǎn)環(huán)境中的ATEx和IECEx認(rèn)證設(shè)備。

按照特定的焊接寬度對(duì)UMT-H進(jìn)行了多種分?jǐn)嗄芰y(cè)量。環(huán)境溫度允許范圍為-55°C到125°C。較大的焊盤可保證散熱效果最佳。

UMT-H是根據(jù)IEC 60127-7和UL 248-14標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的，已獲得VDE和cURus認(rèn)證，也通過了IEC、MIL-STD 202和AEC-Q200測(cè)試。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Reel    

高度:   1.27 mm  

長(zhǎng)度:   5.9 mm  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

子類別:   MOSFETs  

零件號(hào)別名:  BSC0906NS SP000893360

插槽式運(yùn)動(dòng)控制嵌入式模塊及其開發(fā)工具，采用獨(dú)特的實(shí)時(shí)無傳感器控制技術(shù)。

這些完備的控制/驅(qū)動(dòng)模塊通過在其板上實(shí)時(shí)處理關(guān)鍵功能，使得電機(jī)控制系統(tǒng)的通信流量保持在較低水平，從而減輕系統(tǒng)處理器的工作負(fù)荷。

支持藍(lán)牙5（Bluetooth® 5）的RE01B微控制器（MCU），擴(kuò)展超低功耗32位MCU RE產(chǎn)品家族。

控制技術(shù)優(yōu)化了工業(yè)電機(jī)的功耗，將浪費(fèi)的功率降低50%，使其能夠驅(qū)動(dòng)功率高出3倍(高達(dá)7A)的工業(yè)步進(jìn)電機(jī)和無刷直流(BLDC)電機(jī)。

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