驅(qū)動(dòng)芯片的輸入和輸出端的地彈電壓和振蕩尖峰電壓
發(fā)布時(shí)間:2023/2/7 19:23:28 訪問(wèn)次數(shù):265
ADuM7704 Sigma-Delta調(diào)制器。這款高性能的二階調(diào)制器能將模擬輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速、單比特的數(shù)據(jù)流,并且芯片內(nèi)置了采用Analog Devices iCoupler®技術(shù)的數(shù)字隔離功能。
高SNR可以讓電流和電壓測(cè)量更精確,從而提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能。
Analog Devices ADuM7704調(diào)制器可在4.5V至20V的電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行,并且可接受±50mV(滿刻度為±64mV)的偽差分輸入信號(hào)。
這種偽差分輸入非常適合在需要電氣隔離的高壓應(yīng)用中用于進(jìn)行分流電壓監(jiān)控。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 41 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S
下降時(shí)間: 4.6 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 7.2 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 27 ns
典型接通延遲時(shí)間: 5 ns
零件號(hào)別名: SP000819818 BSC0901NSIATMA1
單位重量: 101.820 mg
以典型的AC/DC開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)為例,PFC部分采用無(wú)橋升壓拓?fù)洌蛇x用一顆NSD1025同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩路開(kāi)關(guān)MOSFET,LLC的原邊可用一顆半橋隔離驅(qū)動(dòng)芯片NSi6602同時(shí)驅(qū)動(dòng)上下橋臂MOSFET,副邊用一顆NSD1025驅(qū)動(dòng)全波同步整流MOSFET。
選用高速高可靠性的驅(qū)動(dòng)IC,可以幫助電源系統(tǒng)提升效率和功率密度。
由于開(kāi)關(guān)電源經(jīng)常需要硬開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載,在硬開(kāi)關(guān)以及布局限制的情況下,功率MOSFET往往會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
http://yushuokj.51dzw.com/ 深圳市裕碩科技有限公司
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高SNR可以讓電流和電壓測(cè)量更精確,從而提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能。
Analog Devices ADuM7704調(diào)制器可在4.5V至20V的電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行,并且可接受±50mV(滿刻度為±64mV)的偽差分輸入信號(hào)。
這種偽差分輸入非常適合在需要電氣隔離的高壓應(yīng)用中用于進(jìn)行分流電壓監(jiān)控。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 41 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S
下降時(shí)間: 4.6 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 7.2 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 27 ns
典型接通延遲時(shí)間: 5 ns
零件號(hào)別名: SP000819818 BSC0901NSIATMA1
單位重量: 101.820 mg
以典型的AC/DC開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)為例,PFC部分采用無(wú)橋升壓拓?fù),可選用一顆NSD1025同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩路開(kāi)關(guān)MOSFET,LLC的原邊可用一顆半橋隔離驅(qū)動(dòng)芯片NSi6602同時(shí)驅(qū)動(dòng)上下橋臂MOSFET,副邊用一顆NSD1025驅(qū)動(dòng)全波同步整流MOSFET。
選用高速高可靠性的驅(qū)動(dòng)IC,可以幫助電源系統(tǒng)提升效率和功率密度。
由于開(kāi)關(guān)電源經(jīng)常需要硬開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載,在硬開(kāi)關(guān)以及布局限制的情況下,功率MOSFET往往會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。
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熱門(mén)點(diǎn)擊
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- 0.5A和4A隔離驅(qū)動(dòng)器輸出可以接到正電源或
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