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驅(qū)動(dòng)芯片的輸入和輸出端的地彈電壓和振蕩尖峰電壓

發(fā)布時(shí)間:2023/2/7 19:23:28 訪問(wèn)次數(shù):265

ADuM7704 Sigma-Delta調(diào)制器。這款高性能的二階調(diào)制器能將模擬輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速、單比特的數(shù)據(jù)流,并且芯片內(nèi)置了采用Analog Devices iCoupler®技術(shù)的數(shù)字隔離功能。

高SNR可以讓電流和電壓測(cè)量更精確,從而提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能。

Analog Devices ADuM7704調(diào)制器可在4.5V至20V的電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行,并且可接受±50mV(滿刻度為±64mV)的偽差分輸入信號(hào)。

這種偽差分輸入非常適合在需要電氣隔離的高壓應(yīng)用中用于進(jìn)行分流電壓監(jiān)控。


制造商:    Infineon

產(chǎn)品種類(lèi):    MOSFET

RoHS:    詳細(xì)信息

技術(shù):    Si

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT

封裝 / 箱體:    TDSON-8

晶體管極性:    N-Channel

通道數(shù)量:    1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V

Id-連續(xù)漏極電流:    100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    1.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1 V

Qg-柵極電荷:    41 nC

最小工作溫度:    - 55 C

最大工作溫度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    69 W

通道模式:    Enhancement

商標(biāo)名:    OptiMOS

封裝:    Cut Tape

封裝:    MouseReel

封裝:    Reel

配置:   Single

高度:   1.27 mm

長(zhǎng)度:   5.9 mm

晶體管類(lèi)型:   1 N-Channel

寬度:   5.15 mm

商標(biāo):   Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值:   65 S

下降時(shí)間:   4.6 ns

產(chǎn)品類(lèi)型:   MOSFET

上升時(shí)間:   7.2 ns

工廠包裝數(shù)量:   5000

子類(lèi)別:   MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   27 ns

典型接通延遲時(shí)間:   5 ns

零件號(hào)別名:  SP000819818 BSC0901NSIATMA1

單位重量:  101.820 mg

以典型的AC/DC開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)為例,PFC部分采用無(wú)橋升壓拓?fù)洌蛇x用一顆NSD1025同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩路開(kāi)關(guān)MOSFET,LLC的原邊可用一顆半橋隔離驅(qū)動(dòng)芯片NSi6602同時(shí)驅(qū)動(dòng)上下橋臂MOSFET,副邊用一顆NSD1025驅(qū)動(dòng)全波同步整流MOSFET。

選用高速高可靠性的驅(qū)動(dòng)IC,可以幫助電源系統(tǒng)提升效率和功率密度。

由于開(kāi)關(guān)電源經(jīng)常需要硬開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載,在硬開(kāi)關(guān)以及布局限制的情況下,功率MOSFET往往會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。


(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

http://yushuokj.51dzw.com/ 深圳市裕碩科技有限公司


ADuM7704 Sigma-Delta調(diào)制器。這款高性能的二階調(diào)制器能將模擬輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速、單比特的數(shù)據(jù)流,并且芯片內(nèi)置了采用Analog Devices iCoupler®技術(shù)的數(shù)字隔離功能。

高SNR可以讓電流和電壓測(cè)量更精確,從而提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能。

Analog Devices ADuM7704調(diào)制器可在4.5V至20V的電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行,并且可接受±50mV(滿刻度為±64mV)的偽差分輸入信號(hào)。

這種偽差分輸入非常適合在需要電氣隔離的高壓應(yīng)用中用于進(jìn)行分流電壓監(jiān)控。


制造商:    Infineon

產(chǎn)品種類(lèi):    MOSFET

RoHS:    詳細(xì)信息

技術(shù):    Si

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT

封裝 / 箱體:    TDSON-8

晶體管極性:    N-Channel

通道數(shù)量:    1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V

Id-連續(xù)漏極電流:    100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    1.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1 V

Qg-柵極電荷:    41 nC

最小工作溫度:    - 55 C

最大工作溫度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    69 W

通道模式:    Enhancement

商標(biāo)名:    OptiMOS

封裝:    Cut Tape

封裝:    MouseReel

封裝:    Reel

配置:   Single

高度:   1.27 mm

長(zhǎng)度:   5.9 mm

晶體管類(lèi)型:   1 N-Channel

寬度:   5.15 mm

商標(biāo):   Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值:   65 S

下降時(shí)間:   4.6 ns

產(chǎn)品類(lèi)型:   MOSFET

上升時(shí)間:   7.2 ns

工廠包裝數(shù)量:   5000

子類(lèi)別:   MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   27 ns

典型接通延遲時(shí)間:   5 ns

零件號(hào)別名:  SP000819818 BSC0901NSIATMA1

單位重量:  101.820 mg

以典型的AC/DC開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)為例,PFC部分采用無(wú)橋升壓拓?fù),可選用一顆NSD1025同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩路開(kāi)關(guān)MOSFET,LLC的原邊可用一顆半橋隔離驅(qū)動(dòng)芯片NSi6602同時(shí)驅(qū)動(dòng)上下橋臂MOSFET,副邊用一顆NSD1025驅(qū)動(dòng)全波同步整流MOSFET。

選用高速高可靠性的驅(qū)動(dòng)IC,可以幫助電源系統(tǒng)提升效率和功率密度。

由于開(kāi)關(guān)電源經(jīng)常需要硬開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載,在硬開(kāi)關(guān)以及布局限制的情況下,功率MOSFET往往會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。


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