高di/dt的電流在流經(jīng)MOSFET及其板級(jí)回路時(shí)，寄生電感存在會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器的地電位相對(duì)于控制器地電位瞬間抬升，驅(qū)動(dòng)器的輸入和地之間就相當(dāng)于出現(xiàn)一個(gè)瞬間負(fù)壓。

在極端情況下，可能造成驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部輸入ESD器件受損，驅(qū)動(dòng)器出現(xiàn)失效。

出現(xiàn)輸入負(fù)壓的場(chǎng)景與對(duì)MOSFET進(jìn)行電流采樣相關(guān)。為了實(shí)現(xiàn)更精確的控制，有時(shí)在功率MOSFET和大地之間會(huì)接一個(gè)采樣電阻，用這個(gè)采樣電阻來(lái)檢測(cè)流過(guò)MOSFET的電流，從而使控制器能快速做出響應(yīng)。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類(lèi)型

2 N 溝道（雙路降壓斬波器）

FET 功能

標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）

30V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

15A

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）

5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）

17nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）

1157pF @ 15V

功率 - 最大值

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型

表面貼裝型

封裝/外殼

8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝

PG-TISON-8

基本產(chǎn)品編號(hào)

BSC0925

ADuM7704的模擬輸入由高性能模擬調(diào)制器持續(xù)進(jìn)行采樣，再轉(zhuǎn)換成單比特的數(shù)字輸出流，數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)21MHz。

ADuM7704將高速互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)與單片變壓器技術(shù)相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)片內(nèi)隔離，從而提供優(yōu)異的性能。

其應(yīng)用范圍包括分流電流監(jiān)控、AC電機(jī)控制、電源和太陽(yáng)能逆變器、風(fēng)力發(fā)電機(jī)逆變器，以及用于取代模數(shù)轉(zhuǎn)換器和光隔離器。

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