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大功率RF功率放大器應(yīng)用滿足LDMOS和GaN兩者所需

發(fā)布時間:2023/3/24 13:27:10 訪問次數(shù):224

射頻（RF）功率放大器的半磚封裝數(shù)字DC/DC轉(zhuǎn)換器BMR685，該轉(zhuǎn)換器可提供高達(dá)1300W的連續(xù)輸出功率。

隨著電信基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)換到5G，RF功率放大器（RFPA）的功耗變得越來越大，RF功放設(shè)計(jì)人員正在從LDMOS轉(zhuǎn)移到氮化鎵（GaN）晶體管。

高效DC/DC轉(zhuǎn)換器的需求，并要求其能以更小尺寸封裝提供所需的功率。BMR685的功率處理能力使其非常適合用于這些大功率RF功率放大器應(yīng)用，并能同時滿足LDMOS和GaN兩者所需。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:35 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V Qg-柵極電荷:122 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:52 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列: 晶體管類型:1 P-Channel 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:82 S 下降時間:13 ns, 26 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:12 ns, 40 ns 3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:75 ns, 85 ns 典型接通延遲時間:13 ns, 41 ns 零件號別名:SI7621DN-T1-GE3 單位重量:170 mg

ADQUADMXFE1EBZ 16通道混合信號前端數(shù)字轉(zhuǎn)換器主要特性：

16個RF接收(Rx)通道（32個數(shù)字Rx通道）

16個RF發(fā)射(Tx)通道（32個數(shù)字Tx通道）

提供MATLAB®應(yīng)用腳本形式的特定應(yīng)用示例和GUI

靈活的時鐘分配

ADQUADMXFE-CAL數(shù)字轉(zhuǎn)換卡主要特性：

提供單獨(dú)的相鄰?fù)ǖ阑厮秃徒M合通道回送選項(xiàng)

通過SMA連接器提供組合Tx和Rx通道輸出

板載對數(shù)功率檢波器，具備AD5592R數(shù)字轉(zhuǎn)換功能


(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

福建芯鴻科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com

射頻（RF）功率放大器的半磚封裝數(shù)字DC/DC轉(zhuǎn)換器BMR685，該轉(zhuǎn)換器可提供高達(dá)1300W的連續(xù)輸出功率。

隨著電信基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)換到5G，RF功率放大器（RFPA）的功耗變得越來越大，RF功放設(shè)計(jì)人員正在從LDMOS轉(zhuǎn)移到氮化鎵（GaN）晶體管。

高效DC/DC轉(zhuǎn)換器的需求，并要求其能以更小尺寸封裝提供所需的功率。BMR685的功率處理能力使其非常適合用于這些大功率RF功率放大器應(yīng)用，并能同時滿足LDMOS和GaN兩者所需。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:35 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V Qg-柵極電荷:122 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:52 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列: 晶體管類型:1 P-Channel 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:82 S 下降時間:13 ns, 26 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:12 ns, 40 ns 3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:75 ns, 85 ns 典型接通延遲時間:13 ns, 41 ns 零件號別名:SI7621DN-T1-GE3 單位重量:170 mg

ADQUADMXFE1EBZ 16通道混合信號前端數(shù)字轉(zhuǎn)換器主要特性：

16個RF接收(Rx)通道（32個數(shù)字Rx通道）

16個RF發(fā)射(Tx)通道（32個數(shù)字Tx通道）

提供MATLAB®應(yīng)用腳本形式的特定應(yīng)用示例和GUI

靈活的時鐘分配

ADQUADMXFE-CAL數(shù)字轉(zhuǎn)換卡主要特性：

提供單獨(dú)的相鄰?fù)ǖ阑厮秃徒M合通道回送選項(xiàng)

通過SMA連接器提供組合Tx和Rx通道輸出

板載對數(shù)功率檢波器，具備AD5592R數(shù)字轉(zhuǎn)換功能


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