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霍爾開關(guān)組合或2D/3D傳感器的集成主要特點和效益

發(fā)布時間:2021/4/25 13:24:44 訪問次數(shù):507

11 個通用輸入輸出引腳 (GPIO) 實現(xiàn)了大量霍爾開關(guān)組合或 2D/3D 傳感器的集成,從而使電機控制更為精確。

這些要求為工程師們帶來了一定挑戰(zhàn):每個天線元件必須足夠小型和輕量,同時要讓整體系統(tǒng)尺寸和重量在空中和海上使用時可控。

憑借其強大的處理能力,HVC 系列可實現(xiàn)復(fù)雜的電機控制算法,例如用于永磁同步電機 (PMSM) 的空間矢量調(diào)制 (SVM)、帶有反電磁力的無傳感器換向 (BEMF),以及各種帶電流限制和失速檢測的步進算法。



制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-223-4 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:80 V 集電極—基極電壓 VCBO:100 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:0.5 V 最大直流電集電極電流:1.2 A Pd-功率耗散:1.5 W 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:250 高度:1.6 mm 長度:6.5 mm 技術(shù):Si 寬度:3.56 mm 商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild 集電極連續(xù)電流:1.2 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量4000 子類別:Transistors 單位重量:112 mg


主要特點和效益

電源電壓范圍從 8 V 到 18 V(支持 4.5 到 40 V 瞬變)

6 個 500 mA(最大)半橋驅(qū)動器

32-位 Arm® Cortex®-M3 CPU 內(nèi)核

20 MHz 系統(tǒng)振蕩器,35 kHz 看門狗振蕩器

2k SRAM 32k 閃存型號與 4k SRAM 64k 閃存型號

12-位,1 μs ADC,用于內(nèi)部和外部測量

2 個 8 位電流 DAC,電機電流限制為 2 mA 至 500 mA

中心和邊緣對齊并具有 ADC 觸發(fā)功能的 12-位 PWM 發(fā)電機

用于輸入和輸出 PWM 信號處理的 16-位定時器

11 個用于應(yīng)用程序接口的 GPIO

LIN 收發(fā)器,使用總線分流方法進行自動尋址

小型高效熱 QFN40 封裝


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

11 個通用輸入輸出引腳 (GPIO) 實現(xiàn)了大量霍爾開關(guān)組合或 2D/3D 傳感器的集成,從而使電機控制更為精確。

這些要求為工程師們帶來了一定挑戰(zhàn):每個天線元件必須足夠小型和輕量,同時要讓整體系統(tǒng)尺寸和重量在空中和海上使用時可控。

憑借其強大的處理能力,HVC 系列可實現(xiàn)復(fù)雜的電機控制算法,例如用于永磁同步電機 (PMSM) 的空間矢量調(diào)制 (SVM)、帶有反電磁力的無傳感器換向 (BEMF),以及各種帶電流限制和失速檢測的步進算法。



制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-223-4 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:80 V 集電極—基極電壓 VCBO:100 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:0.5 V 最大直流電集電極電流:1.2 A Pd-功率耗散:1.5 W 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:250 高度:1.6 mm 長度:6.5 mm 技術(shù):Si 寬度:3.56 mm 商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild 集電極連續(xù)電流:1.2 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量4000 子類別:Transistors 單位重量:112 mg


主要特點和效益

電源電壓范圍從 8 V 到 18 V(支持 4.5 到 40 V 瞬變)

6 個 500 mA(最大)半橋驅(qū)動器

32-位 Arm® Cortex®-M3 CPU 內(nèi)核

20 MHz 系統(tǒng)振蕩器,35 kHz 看門狗振蕩器

2k SRAM 32k 閃存型號與 4k SRAM 64k 閃存型號

12-位,1 μs ADC,用于內(nèi)部和外部測量

2 個 8 位電流 DAC,電機電流限制為 2 mA 至 500 mA

中心和邊緣對齊并具有 ADC 觸發(fā)功能的 12-位 PWM 發(fā)電機

用于輸入和輸出 PWM 信號處理的 16-位定時器

11 個用于應(yīng)用程序接口的 GPIO

LIN 收發(fā)器,使用總線分流方法進行自動尋址

小型高效熱 QFN40 封裝


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