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全新款FLIR GF77安全定位氣體泄漏銅片鍵合封裝技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2021/4/26 23:58:50 訪問次數(shù):1216

非制冷型紅外熱像儀——FLIR GF77，因其能精準(zhǔn)可視化甲烷的排放，實(shí)現(xiàn)了更快、更高效的氣體泄漏檢測.

全新款FLIR GF77是一款突破性的非制冷型光學(xué)氣體成像紅外熱像儀，可更換鏡頭檢測多種氣體。

GF77不僅能檢測氣體，也能測量用于紅外檢測的輻射溫度，是電力公司、石油和天然氣企業(yè)、化工/制造設(shè)施、食品和農(nóng)業(yè)行業(yè)以及急救人員的理想選擇。

提升效率，精準(zhǔn)測量,用戶使用全新款FLIR GF77即可安全定位氣體泄漏，并進(jìn)行精確的紅外檢測。

制造商:Intel產(chǎn)品種類:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列RoHS: 產(chǎn)品:Cyclone V GX系列:邏輯元件數(shù)量:77000 LE自適應(yīng)邏輯模塊 - ALM:29080 ALM嵌入式內(nèi)存:4.36 Mbit輸入/輸出端數(shù)量:336 I/O工作電源電壓:1.1 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 70 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:FBGA-672封裝:Tray數(shù)據(jù)速率:2.5 Gb/s商標(biāo):Intel / Altera內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:424 kbit最大工作頻率:800 MHz濕度敏感性:Yes邏輯數(shù)組塊數(shù)量——LAB:2908 LAB收發(fā)器數(shù)量:6 Transceiver產(chǎn)品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array40子類別:Programmable Logic ICs總內(nèi)存:4884 kbit商標(biāo)名:零件號別名:965962

GaN器件所采用的封裝形式，具有出色的散熱性能且通用性非常好，在可靠性和可安裝性方面已擁有可靠的實(shí)際應(yīng)用記錄，因此，將使現(xiàn)有硅器件的替換工作和安裝工序中的操作更加容易。

通過采用銅片鍵合封裝技術(shù)，使寄生電感值相比以往封裝降低了55％，從而在設(shè)計(jì)可能會高頻工作的電路時(shí)，可以更大程度地發(fā)揮出器件的性能。

GaN器件不僅提高了柵極-源極間額定電壓并采用了低電感封裝，還能夠更大程度地發(fā)揮出器件的性能，與硅器件相比，開關(guān)損耗可降低約65％。


(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

非制冷型紅外熱像儀——FLIR GF77，因其能精準(zhǔn)可視化甲烷的排放，實(shí)現(xiàn)了更快、更高效的氣體泄漏檢測.

全新款FLIR GF77是一款突破性的非制冷型光學(xué)氣體成像紅外熱像儀，可更換鏡頭檢測多種氣體。

GF77不僅能檢測氣體，也能測量用于紅外檢測的輻射溫度，是電力公司、石油和天然氣企業(yè)、化工/制造設(shè)施、食品和農(nóng)業(yè)行業(yè)以及急救人員的理想選擇。

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制造商:Intel產(chǎn)品種類:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列RoHS: 產(chǎn)品:Cyclone V GX系列:邏輯元件數(shù)量:77000 LE自適應(yīng)邏輯模塊 - ALM:29080 ALM嵌入式內(nèi)存:4.36 Mbit輸入/輸出端數(shù)量:336 I/O工作電源電壓:1.1 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 70 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:FBGA-672封裝:Tray數(shù)據(jù)速率:2.5 Gb/s商標(biāo):Intel / Altera內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:424 kbit最大工作頻率:800 MHz濕度敏感性:Yes邏輯數(shù)組塊數(shù)量——LAB:2908 LAB收發(fā)器數(shù)量:6 Transceiver產(chǎn)品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array40子類別:Programmable Logic ICs總內(nèi)存:4884 kbit商標(biāo)名:零件號別名:965962

GaN器件所采用的封裝形式，具有出色的散熱性能且通用性非常好，在可靠性和可安裝性方面已擁有可靠的實(shí)際應(yīng)用記錄，因此，將使現(xiàn)有硅器件的替換工作和安裝工序中的操作更加容易。

通過采用銅片鍵合封裝技術(shù)，使寄生電感值相比以往封裝降低了55％，從而在設(shè)計(jì)可能會高頻工作的電路時(shí)，可以更大程度地發(fā)揮出器件的性能。

GaN器件不僅提高了柵極-源極間額定電壓并采用了低電感封裝，還能夠更大程度地發(fā)揮出器件的性能，與硅器件相比，開關(guān)損耗可降低約65％。


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