緩沖器和16位高速15 MSPS逐次逼近寄存器 (SAR) ADC
發(fā)布時(shí)間:2021/4/26 23:45:13 訪問(wèn)次數(shù):251
Analog Devices的ADAQ23875 μModule®數(shù)據(jù)采集解決方案(DAQ)。
ADAQ23875采用系統(tǒng)級(jí)封裝 (SIP) 技術(shù),通過(guò)將多個(gè)通用信號(hào)處理和調(diào)理模塊整合在一個(gè)器件中,減少了終端系統(tǒng)元件數(shù)量,縮短了精密測(cè)量系統(tǒng)開(kāi)發(fā)周期。
Analog Devices ADAQ23875 DAQ集成低噪聲全差分模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動(dòng)器、穩(wěn)定的參考緩沖器和16位高速15 MSPS逐次逼近寄存器 (SAR) ADC。
ADAQ23875采用9 mm×9 mm封裝,是分立式等效器件的四分之一,可進(jìn)一步減小儀器儀表的外形尺寸,而不影響其性能。
一旦超過(guò)器件的額定電壓,就可能會(huì)發(fā)生劣化和損壞等可靠性方面的問(wèn)題,這就需要對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行高精度的控制,因此,這已成為阻礙GaN器件普及的重大瓶頸問(wèn)題。
ROHM通過(guò)采用自有的結(jié)構(gòu),成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規(guī)的6V提高到了業(yè)內(nèi)超高的8V。
這使器件工作時(shí)的電壓裕度達(dá)到普通產(chǎn)品的三倍,在開(kāi)關(guān)工作過(guò)程中即使產(chǎn)生了超過(guò)6V的過(guò)沖電壓,器件也不會(huì)劣化,從而有助于提高電源電路的可靠性。
Analog Devices的ADAQ23875 μModule®數(shù)據(jù)采集解決方案(DAQ)。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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ADAQ23875采用系統(tǒng)級(jí)封裝 (SIP) 技術(shù),通過(guò)將多個(gè)通用信號(hào)處理和調(diào)理模塊整合在一個(gè)器件中,減少了終端系統(tǒng)元件數(shù)量,縮短了精密測(cè)量系統(tǒng)開(kāi)發(fā)周期。
Analog Devices ADAQ23875 DAQ集成低噪聲全差分模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動(dòng)器、穩(wěn)定的參考緩沖器和16位高速15 MSPS逐次逼近寄存器 (SAR) ADC。
ADAQ23875采用9 mm×9 mm封裝,是分立式等效器件的四分之一,可進(jìn)一步減小儀器儀表的外形尺寸,而不影響其性能。
一旦超過(guò)器件的額定電壓,就可能會(huì)發(fā)生劣化和損壞等可靠性方面的問(wèn)題,這就需要對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行高精度的控制,因此,這已成為阻礙GaN器件普及的重大瓶頸問(wèn)題。
ROHM通過(guò)采用自有的結(jié)構(gòu),成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規(guī)的6V提高到了業(yè)內(nèi)超高的8V。
這使器件工作時(shí)的電壓裕度達(dá)到普通產(chǎn)品的三倍,在開(kāi)關(guān)工作過(guò)程中即使產(chǎn)生了超過(guò)6V的過(guò)沖電壓,器件也不會(huì)劣化,從而有助于提高電源電路的可靠性。
Analog Devices的ADAQ23875 μModule®數(shù)據(jù)采集解決方案(DAQ)。
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