8V19N850可通過引腳映射I3CSM和3/4線SPI接口進(jìn)行配置

發(fā)布時(shí)間:2021/4/28 6:10:18 訪問次數(shù):246

級(jí)聯(lián)配置無需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路，加快了產(chǎn)品上市速度。該器件在硬開關(guān)和軟開關(guān)電路中均具有出色的性能，為設(shè)計(jì)人員提供極大的靈活性。

鈦金級(jí)是80 PLUS®規(guī)格中最嚴(yán)苛的，滿載條件下要求達(dá)到>91%的效率（半載條件下>96%）。

對(duì)于2 kW及更高功率的服務(wù)器電源應(yīng)用，使用傳統(tǒng)硅器件來實(shí)現(xiàn)這種性能水平，電路設(shè)計(jì)復(fù)雜而具有挑戰(zhàn)性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡(jiǎn)潔的無橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，并能減少尺寸和系統(tǒng)成本。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 39 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 28 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長(zhǎng)度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3M

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 25 S

下降時(shí)間: 5 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 4.4 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 7 ns

典型接通延遲時(shí)間: 7.9 ns

零件號(hào)別名: SP000311516 BSC12N3MSGXT BSC120N03MSGATMA1

單位重量: 100 mg

MAX41473/MAX41474是290MHz到960MHz高性能低功耗 ASK/FSK接收器.

頻率信息能從DPLL-0 到DPLL-1,反之亦然,使得兩個(gè)基準(zhǔn)(組合模式)的頻率特性得以組合. 8V19N850可通過引腳映射I3CSM(包括以前的I2C)和3/4線SPI接口進(jìn)行配置.

設(shè)備時(shí)鐘域(RF-PLL)支持JESD204B/C,而數(shù)字時(shí)鐘域(以太網(wǎng)和FEC速率)支持eEEC和T-BC/T-TSC Class C.器件的核電源為3.3V,輸出電壓為3.3V,2.5V和1.8V.

采用10 × 10 mm 88-VFQFPN封裝,工作溫度-40C 到 +105C.主要用于無線基礎(chǔ)設(shè)備5G無線電.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）