新型Vishay Siliconix SQJA81EP導(dǎo)通電阻達(dá)到80 V p溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。

日前發(fā)布的汽車級(jí)MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競(jìng)品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時(shí)增加功率密度提高輸出。

SQJA81EP鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于提高自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）功能，消除機(jī)械應(yīng)力，提高板級(jí)可靠性。

制造商 Infineon Technologies  

系列 OptiMOS™  

包裝 卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel®  

零件狀態(tài) 有源  

FET 類型 N 通道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 11A（Ta），40A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 8 毫歐 @ 20A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 2V @ 250μA  

Vgs（最大值） ±20V  

FET 功能 

功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），35W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝 PG-TSDSON-8  

封裝/外殼 8-PowerTDFN  

漏源電壓（Vdss） 30V  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 27nC @ 10V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 2100pF @ 15V  

基本產(chǎn)品編號(hào) BSZ088  

在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，實(shí)現(xiàn)低EMI電源和小解決方案尺寸通常是相互矛盾的。

而LM25149-Q1和LM25149降壓控制器支持工程師滿足具有挑戰(zhàn)性的EMI標(biāo)準(zhǔn)，并通過減小無源EMI濾波器的面積和體積來縮減解決方案尺寸。

與同類解決方案相比，在440 kHz頻率下，工程師最多可以將前端EMI濾波器的面積和體積分別縮減近50%和75%以上。

工程師還可以利用外部反饋和環(huán)路補(bǔ)償進(jìn)一步優(yōu)化其設(shè)計(jì)。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）