器件可在+175 °C高溫下工作，滿足反向極性保護、電池管理、高邊負載開關和LED照明等汽車應用牢固性和可靠性要求。

器件80 V額定電壓滿足12 V、24 V和48 V系統(tǒng)多種常用輸入電壓軌所需安全裕度。MOSFET提高了功率密度，從而減少需要并聯(lián)的元器件數(shù)量，節(jié)省PCB空間。

分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

46A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）

9.9 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 14μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

標準

功率耗散（最大值）

36W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應商器件封裝

PG-TSDSON-8-FL

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓（Vdss）

60V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

3.1nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

1300pF @ 30V

基本產(chǎn)品編號

BSZ099

集成式有源EMI濾波器有助于檢測并降低150 kHz至10 MHz低頻頻帶上的傳導EMI，從而使工程師能夠?qū)MI減少高達50 dBμV（在440 kHz的開關頻率下，相對于禁用AEF的設計）或20 dBμV（相對于采用典型無源濾波器的設計）。

在這兩種設計方案中，DRSS技術(shù)都有助于在低頻和高頻頻帶上將EMI進一步降低5 dBμV。

為了進一步降低EMI，這兩款降壓控制器的工作頻率均與外部時鐘同步，從而幫助工程師在EMI敏感型應用中降低不良拍頻。