第二代非易失性靜態(tài)RAM（nvSRAM）。新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數(shù)據(jù)記錄應用，包括航天和工業(yè)應用。

256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引腳300mil雙列直插式陶瓷封裝，符合MIL-PRF-38535 QML-Q規(guī)格（-55°C至125°C）和英飛凌的工業(yè)標準（-40 °C至85°C）。

5 V和3 V版本均支持用于航天、通信和導航系統(tǒng)以及工業(yè)高爐和鐵路控制系統(tǒng)的引導代碼、數(shù)據(jù)記錄和校準數(shù)據(jù)存儲。英飛凌還提供晶圓銷售，以支持封裝系統(tǒng)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): GaN

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 12 A

Rds On-漏源導通電阻: 6.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.56 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.75 mm

長度: 4.9 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.9 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 5.8 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 5.8 ns

工廠包裝數(shù)量: 2500

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 29 ns

典型接通延遲時間: 6.7 ns

零件號別名: BSO064N03SXT

單位重量: 540 mg

新款1 C型轉(zhuǎn)換繼電器，這一新設(shè)計既節(jié)省了空間，又簡化了設(shè)計。

高壓信號需要路由到交替點、極性反轉(zhuǎn)、電容器充電或放電，高壓轉(zhuǎn)換繼電器（SPDT/C型）將是理想的解決方案。

通常使用兩個常開（SPST/A型）高壓繼電器，確保其中任何一個開關(guān)在閉合前另一個開關(guān)總是先斷開。相比于用一個繼電器的方案，用兩個繼電器就需要兩倍的PCB空間，而且容易造成復雜的驅(qū)動問題。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）